ZHCSKI6W January   2006  – August 2025 TPS737

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 功率耗散
        2. 7.5.1.2 热保护
        3. 7.5.1.3 估算结温
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
  • 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
  • 超低压降电压
    • 传统器件：1A 时典型值为 130mV
    • 新器件：1A 时典型值为 122mV
  • 即使使用仅为 1μF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 初始精度：1%
  • 在线路、负载和温度范围内总精度
    • 传统器件：3%
    • 新器件：1.5%
  • 关断模式下典型 IQ 小于 20nA
  • 通过热关断和电流限制实现故障保护
  • 提供了多个输出电压版本：
    • 可调输出：1.20V 至 5.5V
    • 使用工厂封装级编程，可提供定制输出