ZHCSKI6W January   2006  – August 2025 TPS737

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 热性能信息
    6. 5.6 电气特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 最佳设计实践
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
        1. 7.5.1.1 功率耗散
        2. 7.5.1.2 热保护
        3. 7.5.1.3 估算结温
      2. 7.5.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。即使使用 1µF 的小型陶瓷输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应。NMOS 拓扑也可实现超低压降。

TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低压降电压和低接地引脚电流。采用全新制造流程的器件拥有最新设计，新器件采用 TI 最新工艺技术。未启用时，电流消耗小于 20nA，适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。

对于需要更高输出电压精度的应用，请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)
TPS737DRB（VSON，8）3mm × 3mm
DCQ（SOT-223，6）6.5mm × 7.06mm
DRV（WSON，6）2mm × 2mm
(1) 有关更多信息，请参阅 机械、封装和可订购信息。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。

 

 

TPS737 典型应用电路典型应用电路