ZHCSKI6W January 2006 – August 2025 TPS737
PRODUCTION DATA
使用精准带隙基准生成内部基准电压 Vref。该基准是 TPS737xx 内的主要噪声源,在基准输出 (NR) 上产生大约 32μVRMS(10Hz 至 100kHz)。稳压器控制环路对基准噪声的增益补偿与对基准电压的增益补偿一致,这样稳压器的噪声电压可大约确定为:

VR 值为 1.2V,无 CNR 时,此关系可简化为以下公式。

外部降噪电容器 CNR 从 NR 连接至接地时,与降噪引脚 (NR) 串联的内部 27kΩ 电阻器形成电压基准低通滤波器。CNR = 10nF,10Hz 至 100kHz 带宽内的总噪声减少大约 3.2 倍,从而在以下公式中给出 CNR = 10 nF 时的大致关系。

该降噪效应显示在 典型特性 部分的 RMS 噪声电压与 CNR 间的关系图中。
TPS73701 可调版本没有可用的 NR 引脚。不过,将一个反馈电容器 CFB 从输出连接至反馈引脚 (FB) 将降低输出噪声并提升负载瞬态性能。将该电容器限制为 0.1µF。
TPS737 使用内部电荷泵形成内部电源电压,此电压足以将 NMOS 导通晶体管的栅极驱动至高于 VOUT 的水平。此电荷泵在大约 4MHz 时生成大约 250μV 的开关噪声;然而,对于大多数 IOUT 和 COUT 的值,电荷泵噪声对于稳压器输出的影响可以忽略不计。