ZHCSKI6R January   2006  – December 2019 TPS737

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      典型应用电路
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
    1.     Pin Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagrams
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Output Noise
      2. 7.3.2 Internal Current Limit
      3. 7.3.3 Enable Pin and Shutdown
      4. 7.3.4 Reverse Current
    4. 7.4 Device Functional Modes
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Input and Output Capacitor Requirements
        2. 8.2.2.2 Dropout Voltage
        3. 8.2.2.3 Transient Response
      3. 8.2.3 Application Curves
    3. 8.3 What To Do and What Not To Do
  9. 9 Power Supply Recommendations
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
      1. 10.1.1 Power Dissipation
      2. 10.1.2 Thermal Protection
      3. 10.1.3 Estimating Junction Temperature
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 器件支持
      1. 11.1.1 开发支持
        1. 11.1.1.1 评估模块
        2. 11.1.1.2 Spice 模型
      2. 11.1.2 器件命名规则
    2. 11.2 文档支持
      1. 11.2.1 相关文档
    3. 11.3 接收文档更新通知
    4. 11.4 支持资源
    5. 11.5 商标
    6. 11.6 静电放电警告
    7. 11.7 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器搭配使用时可保持稳定
  • 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
  • 超低压降：1A 时典型值为 130mV
  • 即使使用仅为 1μF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑结构可提供低反向泄漏电流
  • 初始精度为 1%
  • 在线路、负载和温度范围内总精度为 3%
  • 关断模式下，IQ 典型值小于 20nA
  • 热关断和电流限制可实现故障保护
  • 提供多个输出电压版本
    • 可调节输出：1.20V 至 5.5V
    • 使用工厂封装级编程，可提供定制输出