ZHCSYR2 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

PRODUCTION DATA

5.2 功耗额定值

请参阅⁽¹⁾

电路板	封装	R_θJC	R_θJA	降额因子高于 T_A = 25°C	T_A ≤ 25°C 功率等级	T_A = 70°C 功率等级	T_A = 85°C 额定功率
低 K⁽²⁾	DBV	64°C/W	255°C/W	3.9mW/°C	392mW	216mW	157mW
高 K⁽³⁾	DBV	64°C/W	180°C/W	5.6mW/°C	556mW	306mW	222mW
低 K⁽²⁾	DCQ	15°C/W	53°C/W	18.9mW/°C	1887mW	1038mW	755mW
高 K⁽³⁾	DCQ	15°C/W	45°C/W	22.2mW/°C	2222mW	1222mW	889mW
高 K⁽³⁾⁽⁴⁾	DRB	1.2°C/W	40°C/W	25.0mW/°C	2500mW	1375mW	1000mW

(1) 有关热设计的更多信息，请参阅“过热保护”部分。

(2) 用于推导这些数据的 JEDEC 低 K (1s) 板设计是一个 3 英寸 × 3 英寸的双层电路板，该电路板顶部具有 2 盎司覆铜线迹。

(3) 用于推导这些数据的 JEDEC 高 K (2s2p) 电路板设计是一个 3 英寸 x 3 英寸的多层电路板，该电路板具有 1 盎司的内部电源平面和接地平面，顶层和底层上有 2 盎司的覆铜线迹。

(4) 基于初步热仿真。