ZHCSYR2D April 2006 – August 2025 TPS73601-EP , TPS73615-EP , TPS73618-EP , TPS73625-EP , TPS73630-EP , TPS73632-EP , TPS73633-EP
PRODUCTION DATA
当导通器件的栅极被拉低时,TPS736xx-EP 的 NMOS 导通元件可提供固有保护,防止电流从稳压器输出端流向输入端。为了确保所有电荷从导通元件的栅极上移除,在移除输入电压前,必须将 EN 驱动至低电平。如果这没有被完成,由于栅极上存储的电荷,导通元件也许被保持在打开状态。
将 EN 驱动至低电平时,无需偏置电压即可在任一引脚上实现反向电路阻断。请注意,反向电流被定义为由于应用到 OUT 引脚上的电压而从 IN 引脚中流出的电流。由于 80kΩ 内部电阻分压器接地,将有一个额外的电流流入 OUT 引脚(请见图 6-1和图 6-2)。
对于 TPS73601-EP,当 VFB 高于 VIN 超过 1V 时,可能会发生反向电流。