ZHCSUK1O September 2003 – August 2025 TPS731
PRODUCTION DATA
一个精准带隙基准用于生成内部基准电压 VREF。这个基准是 TPS731xx 内的主要噪声源,并且在基准输出 (NR) 处产生约 32μVRMS(10Hz 至 100kHz)。稳压器控制环路对基准噪声的增益补偿与对基准电压的增益补偿一致,这样稳压器的噪声电压可通过 方程式 1 大约确定:

由于 VREF 为 1.2V,若无 CNR 时,该关系式可简化为 方程式 2。

当一个外部降噪电容器 CNR 从 NR 接至接地时,一个与降噪引脚 (NR) 串联的内部 27kΩ 电阻器为电压基准形成一个低通滤波器。CNR = 10nF 时,10Hz 至 100kHz 带宽内的总噪声将降低约 3.2 倍,得出 CNR = 10nF 时如方程 方程式 3 所示的近似关系。

该降噪效应显示在 典型特性 部分的 RMS 噪声电压与 CNR 间的关系图中。
TPS73101 可调版本没有可用的 NR 引脚。不过,将一个反馈电容器 CFB 从输出连接至反馈引脚 (FB) 将降低输出噪声并提升负载瞬态性能。
TPS731xx 使用一个内部电荷泵来形成一个内部电源电压,此电压足以将 NMOS 导通元件的栅极驱动至高于 VOUT 的水平。此电荷泵在大约 4MHz 时生成大约 250μV 的开关噪声;然而,对于大多数 IOUT 和 COUT 的值,电荷泵噪声对于稳压器输出的影响可以忽略不计。