ZHCSUK1O September   2003  – August 2025 TPS731

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输出噪声
      2. 6.3.2 内部电流限制
      3. 6.3.3 使能引脚和关断
      4. 6.3.4 反向电流
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 正常运行,1.7V ≤ VIN≤ 5.5V 且 VEN ≥ 1.7V
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入和输出电容器要求
        2. 7.2.2.2 压降电压
        3. 7.2.2.3 瞬态响应
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 散热注意事项
        2. 7.4.1.2 功率耗散
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 Spice 模型
      2. 8.1.2 器件命名规则
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLN (December 2015)to RevisionO (August 2025)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 更改了整个文档以与当前系列格式保持一致Go
  • 向文档添加了新器件 (M3)Go
  • 在整份文档中加入了区分新旧芯片信息的命名规范Go
  • 更改了应用 Go
  • 添加了新的硅基 DBV 热性能信息Go
  • 更改了 VFB 典型值Go
  • 添加了新器件接地引脚电流规格Go
  • 添加了新器件关断电流规格Go
  • 典型特性 部分添加了新器件图表Go
  • 向“使能引脚和关断”部分添加了高于 1.7V 的 VEN 讨论Go
  • 应用曲线部分添加了新器件图表Go
  • 更改了布局指南 部分Go
  • 功率耗散 部分中的 JEDEC 低 K 板和高 K 板 更改为 JEDEC 板 Go
  • 布局示例 中添加了 固定输出版本(DBV 封装)的布局示例Go
  • 更改了 器件命名规范 Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLM (August 2009)to RevisionN (December 2015)

  • 修改了 特性 列表中的第一项和第三项Go
  • 添加了 ESD 等级 表、特性说明 部分、器件功能模式应用和实现 部分、电源相关建议 部分、布局 部分、器件和文档支持 部分以及机械、封装和可订购信息 部分Go
  • 更改了推荐 应用 的列表Go
  • 更改了 引脚配置和功能 部分;更新了表格格式以符合新标准Go