ZHCSL24D March   2020  – July 2021 TPS548A28

PRODUCTION DATA  

  1. 特性
  2. 应用
  3. 说明
  4. 修订历史记录
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特征
  7. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  内部 VCC LDO 以及在 VCC 引脚上使用外部偏置
      2. 7.3.2  启用
      3. 7.3.3  输出电压设置
        1. 7.3.3.1 遥感
      4. 7.3.4  内部固定软启动和外部可调软启动
      5. 7.3.5  用于输出电压跟踪的外部 REFIN
      6. 7.3.6  频率和工作模式选择
      7. 7.3.7  D-CAP3 控制
      8. 7.3.8  低侧 FET 过零
      9. 7.3.9  电流检测和正过流保护
      10. 7.3.10 低侧 FET 负电流限制
      11. 7.3.11 电源正常
      12. 7.3.12 过压和欠压保护
      13. 7.3.13 越界 (OOB) 运行
      14. 7.3.14 输出电压放电
      15. 7.3.15 UVLO 保护
      16. 7.3.16 热关断保护
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 自动跳跃 Eco-mode 轻载运行模式
      2. 7.4.2 强制连续导通模式
      3. 7.4.3 通过 12V 总线为该器件供电
      4. 7.4.4 通过 3.3V 总线为该器件供电
      5. 7.4.5 通过双电源配置为该器件供电
  8. 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1  输出电压设定点
        2. 8.2.2.2  选择开关频率和工作模式
        3. 8.2.2.3  选择电感器
        4. 8.2.2.4  设置电流限制 (TRIP)
        5. 8.2.2.5  选择输出电容器
        6. 8.2.2.6  选择输入电容器 (CIN)
        7. 8.2.2.7  软启动电容器(SS/REFIN 引脚)
        8. 8.2.2.8  EN 引脚电阻分压器
        9. 8.2.2.9  VCC 旁路电容器
        10. 8.2.2.10 BOOT 电容器
        11. 8.2.2.11 PGOOD 上拉电阻器
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 电源相关建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
      1. 10.2.1 TI EVM 上的热性能
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 支持资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

选择输入电容器 (CIN)

该器件要求在 VIN 和 PGND 引脚之间使用输入旁路电容器来旁路掉功率级。在布局允许的情况下,旁路电容器必须尽可能靠近 IC 的引脚放置。至少需要 10µF 的陶瓷电容和 1µF 的高频陶瓷旁路电容器。VIN 引脚 21 上需要一个 1μF 16V X6S 0402 陶瓷电容器。VIN 引脚 10 上需要一个 1μF 16V X6S 陶瓷电容器。对于大电流应用,建议在底层使用 1μF 16V X6S 陶瓷电容器。高频旁路电容器可更大限度减小功率级上的高频电压过冲。陶瓷电容器必须采用 X6S 或更高质量的电介质来实现高电容体积比并在工作温度范围内保持稳定特性。除此之外,根据应用的不同,输入端可能需要更大的大容量电容,以便尽可能减小瞬态条件下输入电压的变化。

达到特定输入纹波目标所需的输入电容可通过Equation25 计算得出。建议的目标输入电压纹波为最小输入电压的 5%,在本例中为 400mV。计算得出的输入电容为 10.07µF,最小输入电容 10µF 超过了此值。本例采用 4 x 22µF 陶瓷电容器,满足这两个要求。

Equation25. GUID-0FAFB853-A928-46A9-99D0-8F5BA8A88419-low.gif

此外,电容器的 RMS 电流额定值还必须大于应用中的最大输入 RMS 电流。输入电容器必须支持的输入 RMS 电流根据Equation25 进行计算,在本例中的计算结果为 6.96A。陶瓷输入电容器的额定电流大于此值。

Equation26. GUID-3089C415-61E2-4537-AAFA-B0B311086CEF-low.gif

对于需要大容量输入电容的应用,例如具有低输入电压和大电流的应用,建议使用如何选择降压转换器的输入电容器 技术简介中的选择过程。