ZHCSZC5 December   2025 TPS544B27W

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 开关特性
    8. 5.8 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 工作频率和模式
      2. 6.3.2 设置输出电压
      3. 6.3.3 直流负载线
      4. 6.3.4 故障管理
      5. 6.3.5 电流检测和正过流保护
      6. 6.3.6 负过流限制
      7. 6.3.7 零交叉检测
      8. 6.3.8 过热保护
      9. 6.3.9 PMBus® 接口
        1. 6.3.9.1 设置 PMBus® 地址
        2. 6.3.9.2 SMBus 警报响应地址
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 DCM 轻负载运行
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 PMBus® 命令 NVM 默认值
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 PMBus® 事务类型
    2. 7.2 记录块命令的约定
    3. 7.3 PMBus 命令
      1. 7.3.1  OPERATION（地址 = 01h）
      2. 7.3.2  ON_OFF_CONFIG（地址 = 02h）
      3. 7.3.3  CLEAR_FAULTS（地址 = 03h）
      4.      42
      5. 7.3.4  PASSKEY（地址 = 0Eh）
      6. 7.3.5  WRITE_PROTECT（地址 = 10h）
      7. 7.3.6  STORE_USER_ALL（地址 = 15h）
      8.      46
      9. 7.3.7  RESTORE_USER_ALL（地址 = 16h）
      10.      48
      11. 7.3.8  CAPABILITY（地址 = 19h）
      12. 7.3.9  SMBALERT_MASK（地址 = 1Bh）
      13.      51
      14. 7.3.10 SMBALERT_MASK 寄存器
        1. 7.3.10.1  ALERT_MASK_BYTE（地址 = 78h）[复位 = C8h]
        2. 7.3.10.2  ALERT_MASK_WORD（地址 = 79h）[复位 = 0Dh]
        3. 7.3.10.3  ALERT_MASK_VOUT 寄存器（地址 = 7Ah）[复位 = XXh]
        4. 7.3.10.4  ALERT_MASK_IOUT（地址 = 7Bh）[复位= XFh]
        5. 7.3.10.5  ALERT_MASK_INPUT（地址 = 7Ch）[复位 = XXh]
        6. 7.3.10.6  ALERT_MASK_TEMPERATURE（地址 = 7Dh）[复位= XFh]
        7. 7.3.10.7  ALERT_MASK_CML（地址 = 7Eh）[复位 = XXh]
        8. 7.3.10.8  ALERT_MASK_OTHER（地址 = 7Fh）[复位= XFh]
        9. 7.3.10.9  ALERT_MASK_MFR_SPECIFIC（地址 = 80h）[复位 = XXh]
        10. 7.3.10.10 ALERT_MASK_PULSE_CATCHER（地址 = CEh）[复位= FXh]
      15. 7.3.11 VOUT_MODE（地址 = 20h）
      16. 7.3.12 VOUT_COMMAND（地址 = 21h）
      17. 7.3.13 VOUT_TRIM（地址 = 22h）
      18. 7.3.14 VOUT_MAX（地址 = 24h）
      19.      67
      20. 7.3.15 VOUT_MARGIN_HIGH（地址 = 25h）
      21.      69
      22. 7.3.16 VOUT_MARGIN_LOW（地址 = 26h）
      23.      71
      24. 7.3.17 VOUT_TRANSITION_RATE（地址 = 27h）
      25.      73
      26. 7.3.18 VOUT_DROOP（地址 = 28h）
      27. 7.3.19 VOUT_SCALE_LOOP（地址 = 29h）
      28.      76
      29. 7.3.20 FREQUENCY_SWITCH（地址 = 33h）
      30.      78
      31. 7.3.21 VIN_ON（地址 = 35h）
      32.      80
      33. 7.3.22 VIN_OFF（地址 = 36h）
      34.      82
      35. 7.3.23 VOUT_OV_FAULT_LIMIT（地址 = 40h）
      36.      84
      37. 7.3.24 VOUT_OV_FAULT_RESPONSE（地址 = 41h）
      38. 7.3.25 VOUT_OV_WARN_LIMIT（地址 = 42h）
      39.      87
      40. 7.3.26 VOUT_UV_WARN_LIMIT（地址 = 43h）
      41.      89
      42. 7.3.27 VOUT_UV_FAULT_LIMIT（地址 = 44h）
      43.      91
      44. 7.3.28 VOUT_UV_FAULT_RESPONSE（地址 = 45h）
      45. 7.3.29 IOUT_OC_FAULT_LIMIT（地址= 46h）
      46.      94
      47. 7.3.30 IOUT_OC_FAULT_RESPONSE（地址 = 47h）
      48. 7.3.31 IOUT_OC_WARN_LIMIT（地址 = 4Ah）
      49. 7.3.32 OT_FAULT_LIMIT（地址= 4Fh）
      50.      98
      51. 7.3.33 OT_FAULT_RESPONSE（地址 = 50h）
      52. 7.3.34 OT_WARN_LIMIT（地址 = 51h）
      53.      101
      54. 7.3.35 VIN_OV_FAULT_LIMIT（地址 = 55h）
      55.      103
      56. 7.3.36 TON_DELAY（地址 = 60h）
      57.      105
      58. 7.3.37 TON_RISE（地址 = 61h）
      59. 7.3.38 TOFF_DELAY（地址 = 64h）
      60. 7.3.39 TOFF_FALL（地址 = 65h）
      61. 7.3.40 PIN_OP_WARN_LIMIT（地址 = 6Bh）
      62.      110
      63.      111
      64.      112
      65. 7.3.41 STATUS_BYTE（地址 = 78h）
      66. 7.3.42 STATUS_WORD（地址= 79h）
      67. 7.3.43 STATUS_VOUT（地址 = 7Ah）
      68. 7.3.44 STATUS_IOUT（地址 = 7Bh）
      69. 7.3.45 STATUS_INPUT（地址 = 7Ch）
      70. 7.3.46 STATUS_TEMPERATURE（地址 = 7Dh）
      71. 7.3.47 STATUS_CML（地址 = 7Eh）
      72. 7.3.48 STATUS_OTHER（地址 = 7Fh）
      73. 7.3.49 STATUS_MFR_SPECIFIC（地址 = 80h）
      74. 7.3.50 READ_VIN（地址 = 88h）
      75. 7.3.51 READ_IIN（地址 = 89h）
      76. 7.3.52 READ_VOUT（地址 = 8Bh）
      77. 7.3.53 READ_IOUT（地址 = 8Ch）
      78. 7.3.54 READ_TEMPERATURE_1 寄存器（地址 = 8Dh）
      79. 7.3.55 READ_PIN（地址 = 97h）
      80. 7.3.56 PMBUS_REVISION（地址 = 98h）
      81. 7.3.57 MFR_ID（地址 = 99h）
      82. 7.3.58 MFR_MODEL（地址 = 9Ah）
      83.      131
      84. 7.3.59 MFR_REVISION（地址 = 9Bh）
      85. 7.3.60 IC_DEVICE_ID（地址 = ADh）
      86. 7.3.61 IC_DEVICE_REV（地址 = AEh）
      87.      135
      88. 7.3.62 EXTENDED_WRITE_PROTECT（地址= C7h）
      89. 7.3.63 NVM_PATCH_SPACE（地址 = CDh）
      90. 7.3.64 CLOUD_OPTIONS（地址 = CFh）
      91. 7.3.65 SYS_CFG_USER1 寄存器（地址 = D0h）
      92.      140
      93. 7.3.66 SVID_ADDR_CFG_USER（地址 = D1h）
      94. 7.3.67 PMBUS_ADDR（地址 = D2h）
      95. 7.3.68 IMON_CAL（地址 = D4h）
      96. 7.3.69 COMP（地址 = D5h）
      97.      145
      98. 7.3.70 VBOOT_DCLL（地址 = D6h）
      99. 7.3.71 VBOOT_OFFSET_1 寄存器（地址 = D7h）
      100. 7.3.72 IIN_CAL（地址 = D8h）
      101. 7.3.73 SVID_IMAX（地址 = DAh）
      102.      150
      103. 7.3.74 SVID_EXT_CAPABILITY_VIDOMAX（地址 = DBh）
      104. 7.3.75 FUSION_ID0（地址 = FCh）
      105. 7.3.76 FUSION_ID1（地址 = FDh）
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 应用
      2. 8.2.2 设计要求
      3. 8.2.3 详细设计过程
        1. 8.2.3.1 电感器选型
        2. 8.2.3.2 输入电容器选型
        3. 8.2.3.3 输出电容器选型
        4. 8.2.3.4 VCC/VDRV 旁路电容器
        5. 8.2.3.5 启动电容器选择
        6. 8.2.3.6 RSENSE 选择
        7. 8.2.3.7 I_IN_P 和 I_IN_M 电容器选择
        8. 8.2.3.8 VRRDY 上拉电阻选型
        9. 8.2.3.9 PMBus® 地址电阻器选型
      4. 8.2.4 应用曲线
        1. 8.2.4.1 热性能
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.62 EXTENDED_WRITE_PROTECT（地址= C7h）

EXTENDED_WRITE_PROTECT 在图 7-68 中展示并在表 7-88 中进行介绍。

返回到汇总表。

写入事务：写入字
读取事务：读取字
数据格式：无符号二进制（2 字节）
NVM 备份：EEPROM
更新：动态 该 EXTENDED_WRITE_PROTECT 命令配置标准 PMBus 写保护 WRITE_PROTECT 之外的其他寄存器写保护。

图 7-68 EXTENDED_WRITE_PROTECT
15141312111098
RESERVEDWPLTRIMLVOCLVOFCLWRNLIO_TEMP_FCLMRGNL
R-0hR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
76543210
OPLCFGLVIFCLSQNCLMFRDLPSKYLRNVMLSNVML
R/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-XhR/W-Xh
表 7-88 EXTENDED_WRITE_PROTECT 字段说明
位字段类型复位说明
15RESERVEDR0h
14WPLR/WX写保护锁定。阻止写入标准 WRITE_PROTECT，并根据位 2 PSKYL 中的设置控制 EXTENDED_WRITE_PROTECT 中位的写入。WPL 位的预期效果是，设置后就无法将其清除。
命令列表：WRITE_PROTECT、EXTENDED_WRITE_PROTECT
  • 0h = WRITE_PROTECT 和 EXTENDED_WRITE_PROTECT 命令均可写入任何值。PSKYL 的值对访问这两个命令都没有影响。
  • 1h = WRITE_PROTECT 命令为只读命令，对 EXTENDED_WRITE_PROTECT 的访问由 PSKYL 位的值决定。如果 PSKYL 设置为 0，则 EXTENDED_WRITE_PROTECT 可写入，但无法通过向位写入 0 来清除设置为 1 的位。写入 EXTENDED_WRITE_PROTECT 后，EXTENDED_WRITE_PROTECT 的值将是写入之前的值和写入值的按位或运算。如果 PSKYL 设置为 1，则 EXTENDED_WRITE_PROTECT 为只读。
13TRIMLR/WX修整锁定。阻止写入到修整相关命令，包括用于设置基本输出电压且通常针对器件配置设置为固定值的命令。
命令列表：VOUT_TRIM、IMON_CAL、IIN_CAL、VOUT_SCALE_LOOP、VOUT_DROOP、VBOOT_DCLL、VBOOT_OFFSET_1
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
12VOCLR/WXVout 命令锁定。阻止写入与设置基本输出电压相关并可在应用中动态更改的命令。
命令列表：VOUT_MODE、VOUT_COMMAND
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
11VOFCLR/WXVout 故障配置锁定。阻止写入与输出电压故障配置相关的命令。
命令列表：VOUT_MAX、VOUT_OV_FAULT_LIMIT、VOUT_OV_FAULT_RESPONSE、VOUT_UV_FAULT_LIMIT、VOUT_UV_FAULT_RESPONSE、VOUT_MIN
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
10WRNLR/WX警告锁定。阻止写入与警告配置相关的命令，包括屏蔽哪些故障或警告可以将 SMB_ALERT# 置为有效。
命令列表：SMBALERT_MASK VOUT_OV_WARN_LIMIT、VOUT_UV_WARN_LIMIT、IOUT_OC_WARN_LIMIT、OT_WARN_LIMIT、PIN_OP_WARN_LIMIT、ADV_TEL_BYTE（CH0_NM、CH2_NM 恢复值）
有一条该锁定可提供写保护的命令，需要进行特别说明。向 ADV_TEL_BYTE 提供的保护是为了向 NVM 支持的脉冲捕获电路通道提供 No More 写保护的初始复位或恢复值。这有效地将 No More 写保护转换成 Never Again 写保护。因此，要让该位对 ADV_TEL_BYTE 生效，需进行复位或恢复来启用写保护。
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读（ADV_TEL_BYTE 需要复位或恢复）
9IO_TEMP_FCLR/WXIout 和温度故障配置锁定。阻止写入与输出电流和温度故障配置相关的命令。
命令列表：IOUT_OC_FAULT_LIMIT、IOUT_OC_FAULT_RESPONSE、OT_FAULT_LIMIT、OT_FAULT_RESPONSE
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
8MRGNLR/WX裕度锁定。阻止写入与输出电压裕度调节相关的命令。
命令列表：VOUT_MARGIN_HIGH、VOUT_MARGIN_LOW、VOUT_TRANSITION_RATE
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
7OPLR/WXOperation 锁定。阻止写入 OPERATION 命令。
命令列表：‌OPERATION
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
6CFGLR/WX配置锁定。阻止写入与设置器件配置相关的命令。
命令列表：FREQUENCY_SWITCH、NVM_PATCH_SPACE、CLOUD_OPTIONS、SYS_CFG_USER1、SVID_ADDR_CFG_USER、PMB_ADDR、COMP、SVID_IMAX、SVID_EXT_CAPABILITY_VIDOMAX
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
5VIFCLR/WXVin 故障配置锁定。阻止写入与输入电压故障配置相关的命令。
命令列表：VIN_OV_FAULT_LIMIT
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
4SQNCLR/WX序列锁定。阻止写入与时序配置相关的命令。
命令列表：TON_DELAY、TON_RISE、TOFF_DELAY、TOFF_FALL 和 ON_OFF_CONFIG、VIN_ON、VIN_OFF
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
3MFRDLR/WX制造商数据锁定。阻止写入制造商数据命令。
命令列表：MFR_ID、MFR_MODEL、MFR_REVISION
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
2PSKYLR/WXPasskey 锁定。阻止写入 PASSKEY 命令。这是为了防止意外或恶意尝试在没有 PASSKEY 的器件上设置 PASSKEY。如果 PASSKEY 已设置但未锁定，还将阻止该位取消设置 PASSKEY。
命令列表：PASSKEY
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
1RNVMLR/WX恢复 NVM 锁定。阻止写入 RESTORE_USER_ALL 命令。
命令列表：RESTORE_USER_ALL
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令为只读
0SNVMLR/WX存储 NVM 锁定。阻止写入 STORE_USER_ALL 命令。仅当在上电复位时或恢复后设置，该位才会阻止写入。要生效，必须将该位存储到 NVM 中，然后进行上电复位或恢复。
命令列表：STORE_USER_ALL
  • 0h = 除非通过 WRITE_PROTECT 进行写保护，否则命令是可写的
  • 1h = 命令只在上电复位或恢复后为只读。