ZHCSM43B August   2022  – February 2024 TPS543B22

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  VIN 引脚和 VIN UVLO
      2. 6.3.2  内部线性稳压器和旁路
      3. 6.3.3  使能端和可调节 UVLO
        1. 6.3.3.1 启动期间的内部事件序列
      4. 6.3.4  开关频率选择
      5. 6.3.5  与外部时钟实现开关频率同步
        1. 6.3.5.1 内部 PWM 振荡器频率
        2. 6.3.5.2 同步丢失
        3. 6.3.5.3 与 SYNC/FSEL 引脚相连
      6. 6.3.6  遥感放大器和调节输出电压
      7. 6.3.7  环路补偿指南
        1. 6.3.7.1 输出滤波电感器折衷
        2. 6.3.7.2 斜坡电容器选型
        3. 6.3.7.3 输出电容器选型
        4. 6.3.7.4 良好瞬态响应的设计方法
      8. 6.3.8  软启动和预偏置输出启动
      9. 6.3.9  MSEL 引脚
      10. 6.3.10 电源正常 (PG)
      11. 6.3.11 输出过载保护
        1. 6.3.11.1 正电感器电流保护
        2. 6.3.11.2 负电感器电流保护
      12. 6.3.12 输出过压和欠压保护
      13. 6.3.13 过热保护
      14. 6.3.14 输出电压放电
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 强制连续导通模式
      2. 6.4.2 软启动期间的不连续导通模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 1.0V 输出、1MHz 应用
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
          1. 7.2.1.2.1  使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
          2. 7.2.1.2.2  开关频率
          3. 7.2.1.2.3  输出电感器选择
          4. 7.2.1.2.4  输出电容器
          5. 7.2.1.2.5  输入电容器
          6. 7.2.1.2.6  可调节欠压锁定
          7. 7.2.1.2.7  输出电压电阻器选型
          8. 7.2.1.2.8  自举电容器选型
          9. 7.2.1.2.9  VDRV 和 VCC 电容器选择
          10. 7.2.1.2.10 PGOOD 上拉电阻器
          11. 7.2.1.2.11 电流限制选择
          12. 7.2.1.2.12 软启动时间选择
          13. 7.2.1.2.13 斜坡选择和控制环路稳定性
          14. 7.2.1.2.14 MODE 引脚
        3. 7.2.1.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
      3. 7.4.3 热性能
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 使用 WEBENCH® 工具创建定制设计方案
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.11.1 正电感器电流保护

当高侧 MOSFET 在较短的消隐时间后导通时，在高侧 MOSFET 中检测电流，以使噪声稳定下来。每当超过高侧过流阈值时，高侧 MOSFET 会立即关断，低侧 MOSFET 导通。在电流降至低于低侧 MOSFET 过流阈值之前，高侧 MOSFET 不会重新导通，从而在短路情况下有效地限制峰值电流。如果连续 15 个周期检测到高侧过流，器件将进入间断模式。

低侧 MOSFET 在较短的消隐时间后导通时也会检测到电流，以使噪声稳定下来。如果在从控制器接收到下一个传入 PWM 信号时超过了低侧过流阈值，则器件将跳过处理该 PWM 脉冲。该器件不会再次接通高侧 MOSFET，直到不再超过低侧过电流阈值。如果连续 15 个周期超过低侧过流阈值，器件将进入间断状态。有两个单独的计数器分别用于高侧电流事件和低侧过电流事件。如果关断时间太短，则低侧过流不会跳闸。然而，低侧过流在超过高侧峰值过流限制后开始跳闸，因为超过峰值电流限制会缩短导通时间并延长关断时间。

高侧和低侧正过流阈值均可使用 MSEL 引脚进行编程。提供了两组阈值（“高”和“低”），在表 6-6 中进行了汇总。这些阈值的值是使用直流电流的开环测量获得的，以准确指定值。在实际应用中，电感电流斜坡和斜坡速率是电感两端电压的函数 (VIN – VOUT) 以及电感值。然后，斜坡率与电流检测电路中的延迟相结合，导致值与指定值略有不同。高侧过流限制生效的电流可以略高于指定值，而低侧过流限制生效的电流可以略低于指定值。

表 6-6 过流阈值
MSEL 电流限制设置 高侧过流典型值 (A) 低侧过流典型值 (A)
高

29

22
低

23

17.6