ZHCSHP2B October   2017  – November 2018 TPS2372

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 PG 电源正常（转换器使能）引脚接口
      2. 7.3.2 CLSA 和 CLSB 分类，AUTCLS
      3. 7.3.3 DEN 检测和使能
      4. 7.3.4 内部导通 MOSFET 和浪涌延迟启用，IRSHDL_EN
      5. 7.3.5 TPH、TPL 和 BT PSE 类型指标
      6. 7.3.6 AMPS_CTL、MPS_DUTY 和自动 MPS
      7. 7.3.7 VDD 电源电压
      8. 7.3.8 VSS
      9. 7.3.9 外露散热焊盘
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  PoE 概述
      2. 7.4.2  阈值电压
      3. 7.4.3  PoE 启动顺序
      4. 7.4.4  检测
      5. 7.4.5  硬件分类
      6. 7.4.6  Autoclass
      7. 7.4.7  浪涌和启动
      8. 7.4.8  维持功率特征
      9. 7.4.9  启动和转换器运行
      10. 7.4.10 PD 热插拔运行
      11. 7.4.11 启动和电源管理，PG、TPH、TPL、BT
      12. 7.4.12 使用 DEN 禁用 PoE
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计要求
        1. 8.2.2.1  输入电桥和肖特基二极管
        2. 8.2.2.2  保护器件，D1
        3. 8.2.2.3  电容，C1
        4. 8.2.2.4  检测电阻，RDEN
        5. 8.2.2.5  分类电阻，RCLSA 和 RCLSB
        6. 8.2.2.6  用于 TPH、TPL 和 BT 的光隔离器
        7. 8.2.2.7  自动 MPS 和 MPS 占空比，RMPS 和 RMPS_DUTY
        8. 8.2.2.8  内部电压基准，RREF
        9. 8.2.2.9  Autoclass
        10. 8.2.2.10 浪涌延迟
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 EMI 遏制
    4. 10.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 10.5 ESD
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关链接
      2. 11.1.2 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGW|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.3.4 内部导通 MOSFET 和浪涌延迟启用，IRSHDL_EN

RTN 引脚为负载提供负电源回路。一旦 VVDD 超过 UVLO 阈值，内部导通 MOSFET 便会将 RTN 拉至 VSS。浪涌限制功能可防止 RTN 电流超过 TPS2372-3 和 TPS2372-4 分别大约 200mA 和 335mA 的标称值，直到大容量电容（CBULK，请参阅Figure 22）充满电为止。必须满足两个条件才能到达浪涌阶段末端。第一个条件是 RTN 电流下降到标称浪涌电流的约 90% 以下，此时电流限值对于 TPS2372-3 而言变为 1.85A，而对于 TPS2372-4 而言变为 2.2A，而第二个条件（如果 IRSHDL_EN 断开）则是确保最短浪涌延迟时间为从浪涌阶段开始算起约 81.5ms (tINR_DEL)。PG 输出变为高阻抗将向下游负载指示大容量电容已充满电并且浪涌周期已完成。将 IRSHDL_EN 输入端连接到 RTN 引脚将禁用浪涌延迟，此情况下只有第一个条件适用于浪涌阶段末端。

如果 RTN 大于约 14.5V 的时间超过约 1.65ms，则 TPS2372 返回到涌流阶段；请注意，在这种特殊情况下，上述关于浪涌阶段持续时间 (81.5ms) 的第二个条件不适用。