ZHCSHP2B October   2017  – November 2018 TPS2372

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     Device Images
      1.      简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1 PG 电源正常（转换器使能）引脚接口
      2. 7.3.2 CLSA 和 CLSB 分类，AUTCLS
      3. 7.3.3 DEN 检测和使能
      4. 7.3.4 内部导通 MOSFET 和浪涌延迟启用，IRSHDL_EN
      5. 7.3.5 TPH、TPL 和 BT PSE 类型指标
      6. 7.3.6 AMPS_CTL、MPS_DUTY 和自动 MPS
      7. 7.3.7 VDD 电源电压
      8. 7.3.8 VSS
      9. 7.3.9 外露散热焊盘
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1  PoE 概述
      2. 7.4.2  阈值电压
      3. 7.4.3  PoE 启动顺序
      4. 7.4.4  检测
      5. 7.4.5  硬件分类
      6. 7.4.6  Autoclass
      7. 7.4.7  浪涌和启动
      8. 7.4.8  维持功率特征
      9. 7.4.9  启动和转换器运行
      10. 7.4.10 PD 热插拔运行
      11. 7.4.11 启动和电源管理，PG、TPH、TPL、BT
      12. 7.4.12 使用 DEN 禁用 PoE
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计要求
        1. 8.2.2.1  输入电桥和肖特基二极管
        2. 8.2.2.2  保护器件，D1
        3. 8.2.2.3  电容，C1
        4. 8.2.2.4  检测电阻，RDEN
        5. 8.2.2.5  分类电阻，RCLSA 和 RCLSB
        6. 8.2.2.6  用于 TPH、TPL 和 BT 的光隔离器
        7. 8.2.2.7  自动 MPS 和 MPS 占空比，RMPS 和 RMPS_DUTY
        8. 8.2.2.8  内部电压基准，RREF
        9. 8.2.2.9  Autoclass
        10. 8.2.2.10 浪涌延迟
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
    3. 10.3 EMI 遏制
    4. 10.4 散热注意事项和 OTSD
    5. 10.5 ESD
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关链接
      2. 11.1.2 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RGW|20
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

除非另有说明，否则 40V ≤ VVDD ≤ 57V；RDEN = 24.9kΩ；PG、CLSA、CLSB、MPS_DUTY、AMPS_CTL、IRSHDL_EN、TPH、TPL 和 BT 断开；VAUTCLS = VVSS；RREF = 49.9kΩ；–40°C ≤ TJ ≤ 125°C。正电流进入引脚。典型值为 25°C 下的值。除非另有说明，否则所有电压均以 VVSS 为基准。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
检测 (DEN)
偏置电流 DEN 断开，VVDD = 10.1V，测量 ISUPPLY（VDD、RTN、DEN），不在标记中 3 4.8 14 µA
DEN 泄漏电流 VDEN = VVDD = 57V 0.5 5 µA
检测电流 测量 ISUPPLY（VDD、RTN、DEN），VVDD = 1.4V 53.8 56.5 58.3 µA
测量 ISUPPLY（VDD、RTN、DEN），VVDD = 10.1V，不在标记中 395 410 417
VPD_DIS 禁用阈值 DEN 下降 3 3.7 5 V
迟滞 75 150 250 mV
分类 (CLS)
ICLS 分类 A、B 特征电流 13V ≤ VVDD ≤ 21V，测量 IVDD + IDEN + IRTN
RCLSA 或 RCLSB = 1210Ω 2.1 2.5 2.9 mA
RCLSA 或 RCLSB = 249Ω 9.9 10.6 11.2
RCLSA 或 RCLSB = 140Ω 17.6 18.6 19.4
RCLSA 或 RCLSB = 90.9Ω 26.5 27.9 29.3
RCLSA 或 RCLSB = 63.4Ω 38 39.9 42
IAUTCLS Autoclass 特征电流 在第 1 类事件期间经过 tACS 后 1 4 mA
VCL_ON 类下限阈值 VVDD 上升，ICLS ↑ 11.9 12.5 13 V
VCL_H 迟滞 1.4 1.6 1.7
VCU_ON 类上限阈值 VVDD 上升，ICLS ↓ 21 22 23 V
VCU_H 迟滞 0.5 0.78 0.9
VMSR 标记复位阈值 VVDD 下降 3 3.9 5 V
标记状态电阻 在 5V 和 10.1V 进行 2 点测量 6 10 12 kΩ
泄漏电流 VVDD = 57V，VCLS = 0V，测量 ICLS 1 µA
tLCF_PD 第一类事件时间较长 新 MPS 的第 1 类事件持续时间 76 81.5 86 ms
tACS Autoclass 特征时间 第 1 类事件期间的 AUTCLS 76 81.5 87 ms
AUTCLS 上拉电流 13V ≤ VVDD ≤ 21V 30 34 38 μA
导通器件 (RTN)
rDS(on) 导通电阻 TPS2372-3 0.3 0.55 Ω
TPS2372-4 0.1 0.2
输入偏置电流 VVDD = VRTN = 30V，测量 IRTN 50 µA
RTN 泄漏电流 VVDD = VRTN = 100V，VDEN = VVSS，测量 IRTN 80
电流限制 VRTN = 1.5V TPS2372-3 1.55 1.85 2.2 A
VRTN = 1.5V TPS2372-4 1.9 2.2 2.5
瞬态输入浪涌电流限制 VRTN = 2V，
VVDD：20V → 48V		 TPS2372-3 165 200 237 mA
VRTN = 2V，
VVDD：20V → 48V		 TPS2372-4 275 335 395
浪涌终止 浪涌电流百分比 65% 90% 99%
tINR_DEL 浪涌延迟 78 81.5 87 ms
折返阈值 VRTN 上升 12.5 14.5 15.5 V
折返抗尖峰脉冲时间 VRTN 上升到电流限值变为浪涌电流限值时 1.35 1.65 1.95 ms
电源正常 (PG)
输出低电压 测量 VPG – VRTN，IPG = 2mA，VRTN = 2V，VDD：20V → 48V 0.27 0.5 V
泄漏电流 VPG = 57V，VRTN = 0V 10 μA
VPG = 10V，VRTN = 0V 1
PSE 类型指示（TPL、TPH、BT）
VTPL 输出低电压 ITPL = 2mA，在进行包含 2 个、3 个或 5 个事件的分类后，启动已完成，
VRTN = 0V		 0.27 0.5 V
VTPH 输出低电压 ITPH = 2mA，在进行包含 4 个或 5 个事件的分类后，启动已完成，VRTN = 0V 0.27 0.5
VBT 输出低电压 IBT = 2mA，在 IEEE802.3bt 分类后，启动已完成，VRTN = 0V 0.27 0.5
泄漏电流 VTPL 或 VTPH 或 VBT = 7V，VRTN = 0V 1 µA
tTPLHBT TPL、TPH、BT 延迟 从启动期间的 PG：低电平 → 断开到 TPH 和/或 TPL 和/或 BT 有效 20 24 28 ms
UVLO
VUVLO_R UVLO 上升阈值 VVDD 上升 36.3 38.1 40 V
VUVLO_F UVLO 下降阈值 VVDD 下降 30.5 32 33.6
VUVLO_H UVLO 迟滞 6.1 V
偏置电流
工作电流 40V ≤ VVDD ≤ 57V，启动已完成 550 800 µA
MPS
MPS 直流电源电流 启动已完成，IRTN = 0mA 0.8 mA
AMPS_CTL 脉冲电压 启动已完成，IRTN < 20mA，
RMPS = 1KΩ 至 12kΩ		 23.1 24 24.9 V
自动 MPS 下降电流阈值 启动已完成，IRTN 阈值用于产生 AMPS_CTL 脉冲 18 28 38 mA
RTN 迟滞电流 1
适用于 1-2 型 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 MPS 脉冲电流占空比 25.8% 26.1% 26.4%
MPS 脉冲电流开启时间 76 81.5 87 ms
MPS 脉冲电流关闭时间 230 250
适用于 3-4 型 PSE 的 MPS 脉冲模式占空比 MPS 脉冲电流占空比，
RMPS_DUTY > 230kΩ		 5.2% 5.43% 5.6%
MPS 脉冲电流开启时间，
RMPS_DUTY > 230kΩ		 14.5 15.0 15.7 ms
MPS 脉冲电流占空比，
RMPS_DUTY < 8kΩ		 12.3% 12.5% 12.7%
MPS 脉冲电流开启时间，
RMPS_DUTY < 8kΩ		 36 37.5 39 ms
MPS 脉冲电流占空比，
43kΩ < RMPS_DUTY < 77kΩ		 7.9% 8.1% 8.3%
MPS 脉冲电流开启时间，
43kΩ < RMPS_DUTY < 77kΩ		 22.2 23.1 24 ms
MPS 脉冲电流关闭时间，RMPS_DUTY 从 0Ω 到开路 250 263.5 277 ms
MPS_DUTY 上拉电流 14 17 20 µA
热关断
关断 TJ↑ 140 158 °C
迟滞 (1) 20 °C
(1) 提供的参数仅供参考，不构成 TI 发布的规格的一部分用于 TI 产品保修。