对于所有应用，TI 建议在 IN 引脚和 GND 引脚之间使用 0.01μF 或更大的陶瓷去耦电容器。

对于所有应用，TI 建议在 OUT 引脚和 GND 引脚之间使用 10μF 或更大的陶瓷去耦电容器。

去耦电容器的最优放置位置是紧靠器件的 IN 引脚和 GND 引脚的位置。请务必注意，尽量减小旁路电容器连接和 IC 的 IN 引脚及 GND 引脚所构成的环路区域。如需 PCB 布局示例，请参阅下图。

高载流电源路径连接必须尽可能短，并且其大小必须能够承载至少两倍的满载电流。

必须在 IC 的引脚处将 GND 引脚连接至 PCB 接地平面。PCB 接地必须是电路板上的一个铜层或铜岛。

IN 和 OUT 引脚用于散热。通过散热过孔连接至尽可能多的铜区域。

• R_ILIM

• R_IMON

• C_IMON

• C_IREF

• C_dVdT

• C_ITIMER

• C_IN

• C_OUT

• C_VDD

• 用于 EN/UVLO 引脚的电阻器

采用最短的走线将元件另一端连接至器件的 GND 引脚。C_IN、C_OUT、C_VDD、R_IREF、C_IREF、R_ILIM、R_IMON、C_IMON、C_ITIMER 和 C_dVdt 元件到器件的布线必须尽可能短，以减少对电流限制、过流消隐间隔和软启动时序的寄生效应。这些走线不得与电路板中的开关信号发生耦合。

由于 IMON、IREF 和 ITIMER 引脚直接控制器件的过流保护行为，因此这些节点的 PCB 布线必须远离任何噪声（开关）信号。

必须将保护器件（如 TVS、缓冲器、电容器或二极管）放置在紧靠保护器件要保护的器件的物理位置。必须使用短迹线为这些保护器件布线以减少电感。例如，TI 建议使用保护肖特基二极管来解决由于电感负载切换而导致的负瞬变，并且二极管必须位于靠近 OUT 引脚的物理位置。