ZHCST61G December   2010  – September 2025 TMP411-Q1 , TMP411D-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性 (TMP411-Q1)
    6. 6.6  电气特性 (TMP411D-Q1)
    7. 6.7  计时特点
    8. 6.8  时序图
    9. 6.9  典型特性 (TMP411-Q1)
    10. 6.10 典型特性 (TMP411D-Q1)
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 串联电阻抵消
      2. 7.3.2 差分输入电容
      3. 7.3.3 温度测量数据
      4. 7.3.4 THERM（引脚 4）和 ALERT/THERM2（引脚 6）
      5. 7.3.5 传感器故障
      6. 7.3.6 欠压锁定（仅限 TMP411-Q1）
      7. 7.3.7 滤波
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 关断模式 (SD)
      2. 7.4.2 单次转换
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1  串行接口
      2. 7.5.2  总线概述
      3. 7.5.3  时序图
      4. 7.5.4  串行总线地址
      5. 7.5.5  读取/写入操作
      6. 7.5.6  超时功能
      7. 7.5.7  高速模式
      8. 7.5.8  通用广播复位
      9. 7.5.9  软件复位
      10. 7.5.10 SMBUS 警报功能
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1  寄存器信息
    2. 8.2  指针寄存器
    3. 8.3  温度寄存器
    4. 8.4  限值寄存器
    5. 8.5  状态寄存器
    6. 8.6  配置寄存器
    7. 8.7  分辨率寄存器
    8. 8.8  转换速率寄存器
    9. 8.9  N 因数校正寄存器
    10. 8.10 最小值和最大值寄存器
    11. 8.11 连续警报寄存器
    12. 8.12 THERM 迟滞寄存器
    13. 8.13 标识寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

11 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (November 2013)to RevisionG (September 2025)

  • 通篇添加了 TMP411D-Q1 器件；更新了数据表标题Go
  • 根据最新的德州仪器 (TI) 和行业数据表标准更新了文档的外观Go
  • 向说明 部分添加了“封装信息”表Go
  • 添加了“器件比较”表、“器件命名规则”图和说明Go
  • 通篇更新了“转换时间”Go
  • 通篇更改了平均电流和关断电流Go
  • 添加了引脚配置和功能 部分Go
  • 在引脚功能 表中添加了“类型”列Go
  • 更新了 D+/D- 引脚上的最大额定电压。Go
  • 更新了 4、6、7、8 引脚上的最大额定电压。Go
  • 更新了 V+ 引脚上的最大额定电压Go
  • 更新了 TMP411-Q1 的人体放电模型 (HBM) 和充电器件模型 (CDM) 静电放电Go
  • 向“热性能信息”部分中添加了 DGK 和 DDF 封装Go
  • 更新了拼写错误，并将“TA = 15°C 至 85°C、V+ = 3.3V”从“远程温度误差”移至“本地温度误差”Go
  • 向温度误差电源灵敏度中添加了条件“TDIODE =– 40°C 至 150°C”Go
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“转换时间”Go
  • 更新了迟滞典型值的拼写错误，从 500mV 更新为 170mVGo
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“逻辑输入电流”。Go
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“输出低电压”Go
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“高电平输出漏电流”。Go
  • 更新了拼写错误，并向“ALERT 或 THERM2 输出低电平灌电流”中添加了 6mA 最小值Go
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“静态电流”和所有测试条件Go
  • 删除了对欠压锁定的限制Go
  • 在电气特性表中添加了新芯片的“上电复位阈值”。Go
  • 在电气特性表中添加了“欠压检测值”Go
  • 将高速模式下的 t(SUDAT) 从 10ns 更改为 20ns。Go
  • 添加了新芯片的“典型特性 (TMP411-Q1)”图Go
  • 向详细说明 部分中添加了概述Go
  • 更新了“概述”部分中的“基本连接”图Go
  • 添加了功能方框图 部分Go
  • 添加了特性说明 部分，并将特性信息调整到此部分中Go
  • 添加了“12 位 Q4 参数和位值”表及其 C 代码。Go
  • 更新了欠压锁定部分，因为新芯片的 POR 会删除欠压锁定电压Go
  • 添加了器件功能模式 部分Go
  • 向关断模式 (SD) 部分添加了说明文字，以便与实际器件行为保持一致Go
  • 通篇将术语“主器件”更改为“控制器”，将“从器件”更改为“目标”Go
  • 将时序表 添加到规格 部分Go
  • 添加了“TMP411-Q1 和 TMP411D-Q1 器件地址选项”表Go
  • 将寄存器信息 部分更改为寄存器映射 部分，并将寄存器信息集中到此部分中Go
  • 更新了“状态寄存器”部分，因为新芯片的 POR 会删除欠压锁定电压Go
  • 添加了“应用信息”部分Go
  • 在设计要求部分添加了 D+ 波形Go
  • 更新了详细设计过程部分Go
  • 添加了电源建议部分Go
  • 将布局注意事项 更改为布局指南 Go
  • 添加了“布局示例”部分Go
  • 添加了器件和文档支持部分及其子部分Go
  • 添加了机械、封装和可订购信息 部分Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (December 2012)to RevisionF (November 2013)

  • 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
  • 将整个文档中的封装从 MSOP 更改为 VSSOP。Go
  • 在第 1 部分列表项和“绝对最大额定值”表中将器件 CDM ESD 分类等级从 C3B 更改为 C4B。Go