ZHCSYK3 July 2025 TMF0008
PRODUCTION DATA
表 6-1 是 TMF0008 7680 位 FRAM 部分的存储器映射，配置为 30 页、每页 32 字节。四个相邻页构成一个 128 字节块。对 FRAM 存储器进行编程时，使用 32 字节的易失性暂存缓冲区。写入 FRAM 存储器的过程包括两个步骤：首先，将数据写入暂存缓冲区；然后，通过读取确认正确接收数据的暂存缓冲区来验证数据。如果缓冲区内容正确，则发出“复制暂存区”命令，将暂存缓冲区复制到 FRAM 存储器。在对存储器进行编程时，该过程会验证数据完整性。有关对 TMF0008 的 7680 位 FRAM 部分进行编程和读取的详细信息，请参见本数据表的存储器功能命令 部分。
| 地址范围 | 类型(1) | 说明 | 保护代码（注释） |
|---|---|---|---|
| 0000h 至 007Fh | R/(W) | 数据内存页 0 至 3（块 0） | （保护由地址 03C0h 控制） |
| 0080h 至 00FFh | R/(W) | 数据内存页 4 至 7（块 1） | （保护由地址 03C1h 控制） |
| 0100h 至 017Fh | R/(W) | 数据内存页 8 至 11（块 2） | （保护由地址 03C2h 控制） |
| 0180h 至 01FFh | R/(W) | 数据内存页 12 至 15（块 3） | （保护由地址 03C3h 控制） |
| 0200h 至 027Fh | R/(W) | 数据内存页 16 至 19（块 4） | （保护由地址 03C4h 控制） |
| 0280h 至 02FFh | R/(W) | 数据内存页 20 至 23（块 5） | （保护由地址 03C5h 控制） |
| 0300h 至 037Fh | R/(W) | 数据内存页 24 至 27（块 6） | （保护由地址 03C6h 控制） |
| 0380h 至 03BFh | R/(W) | 数据内存页 28 至 29（块 7） | （保护由地址 03C7h 控制） |