ZHCSYK3 July 2025 TMF0008
PRODUCTION DATA
如表 6-1 所示，TMF0008 的数据存储器由八个连续的 FRAM 存储块组成。块 0 至 6 各为 128 字节，由四个相邻的内存页构成，而块 7 是 64 字节，由两个相邻的内存页构成（一个数据内存页是 32 个相邻的存储字节）。
除数据存储器外，TMF0008 还包含起始地址为 03C0h 的状态存储器，如表 6-2 所示。状态存储器中的寄存器页包含八个保护控制字节和用户 EEPROM 的六个字节，每个字节用于锁定存储器块和寄存器页。
这 8 个保护控制字节和存储器块锁定字节共同控制对 8 个数据存储器块的访问。默认情况下，存储器块设置为开放访问。保护字节值 55h 会将相应的存储器块设置为写保护模式，而保护字节值 AAh 会将相应的存储器块设置为 EPROM 模式。
如果存储器块锁定字节编程为 55h 或 AAh，则会为所有受写保护的数据存储器块设置复制保护（EPROM 模式下的存储器块不受影响）。同样，如果将寄存器页锁定字节编程为 55h 或 AAh，则会为整个寄存器页设置复制保护。
将存储器位置设置为写保护模式可以进行复制暂存区操作，但会阻止数据更改。这支持使用相同的数据对存储器重新编程，从而刷新极化以延长数据保留时间。
与写保护相比，复制保护会阻止复制暂存区功能。只有在所有受写保护的块和相关的保护控制字节设置为最终值后，才使用此特性。请注意，复制保护不会阻止器件间的数据复制。当设置为 55h 或 AAh 时，保护控制寄存器和锁定字节会自我写保护。任何其他设置都允许不受限制的写入访问。
地址 03D1h 和 03D2h 可用于对可选的制造商 ID 进行编程。主机可以读取这些值，例如，将最终用户产品与 TMF0008 关联。在地址 03D0h 处，TMF0008 存储了一个用于锁定制造商 ID 的字节，默认值为 00h。向该位置写入 AAh 或 55h 后，制造商 ID 和锁定字节会永久受写保护。
| 地址范围 | 类型(1) | 说明 | 保护代码（注释） |
|---|---|---|---|
| 03C0h | R/(W) | 保护控制字节（块 0） | 55h：写保护块 0； AAh：EPROM 模式块 0； 55h 或 AAh：写保护 03C0h |
| 03C1h | R/(W) | 保护控制字节（块 1） | 55h：写保护块 1； AAh：EPROM 模式块 1； 55h 或 AAh：写保护 03C1h |
| 03C2h | R/(W) | 保护控制字节（块 2） | 55h：写保护块 2； AAh：EPROM 模式块 2； 55h 或 AAh：写保护 03C2h |
| 03C3h | R/(W) | 保护控制字节（块 3） | 55h：写保护块 3； AAh：EPROM 模式块 3； 55h 或 AAh：写保护 03C3h |
| 03C4h | R/(W) | 保护控制字节（块 4） | 55h：写保护块 4； AAh：EPROM 模式块 4； 55h 或 AAh：写保护 03C4h |
| 03C5h | R/(W) | 保护控制字节（块 5） | 55h：写保护块 5； AAh：EPROM 模式块 5； 55h 或 AAh：写保护 03C5h |
| 03C6h | R/(W) | 保护控制字节（块 6） | 55h：写保护块 6； AAh：EPROM 模式块 6； 55h 或 AAh：写保护 03C6h |
| 03C7h | R/(W) | 保护控制字节（块 7） | 55h：写保护块 7； AAh：EPROM 模式块 7； 55h 或 AAh：写保护 03C7h |
| 03C8h-03CDh | R/(W) | 用户 EEPROM | |
| 03CEh | R/(W) | 存储器块锁定 | 55h 或 AAh：复制保护 受写保护的数据内存页 55h 或 AAh：写保护 03CEh |
| 03CFh | R/(W) | 寄存器页面锁定 | 55h 或 AAh：复制保护 03C0h-03CFh |
| 03D0h | R/(W) | 出厂字节 | 55h 或 AAh：写保护 03D0h-03D2h 其他：03D0h-03D2h 是可编程的 |
| 03D1h |
R/(W) |
制造商 ID | |
| 03D2h |
R/(W) |
制造商 ID | |
| 03D3h | R | RESERVED |