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ZHCSYK3 July 2025 TMF0008

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

PS|8
- MSOP001A

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

PS|8
- QFND376

订购信息

5.6 时序要求

最小值和最大值规格的适用范围为 -10°C 的 T_A 至 85°C。典型值规格的适用条件为 25°C 且 V_PUP = 3.3V 和 5V（除非另有说明）。

			最小值	标称值	最大值	单位
IO 引脚：一般数据
t_STARTUP	启动时间	在器件使用存在脉冲响应之前 SDQ 必须为高电平的最短时间		10		ms
t_REC	恢复时间	标准速度⁽¹⁾、⁽²⁾	5			µs
t_REC	恢复时间	超速⁽¹⁾、⁽²⁾	5			µs
t_REH	上升沿延迟时间	标准速度⁽¹⁾、⁽²⁾	0.5		5	µs
t_SLOT	时隙持续时间	标准速度⁽³⁾	65			µs
t_SLOT	时隙持续时间	超速⁽³⁾	11			µs
IO 引脚：单线复位、存在检测周期
t_RSTL	复位低电平时间	标准速度	480		550	µs
t_RSTL	复位低电平时间	超速	48		80	µs
t_PDH	存在检测高电平脉冲	标准速度	15		60	µs
t_PDH	存在检测高电平脉冲	超速	2		6	µs
t_PDL	存在检测低电平时间	标准速度	60		240	µs
t_PDL	存在检测低电平时间	超速	8		24	µs
t_PDS	存在检测采样时间⁽⁴⁾、⁽⁵⁾	标准速度	60	70	75	µs
t_PDS	存在检测采样时间⁽⁴⁾、⁽⁵⁾	超速	6	8.7	10	µs
IO 引脚：单线写入
t_W0L	写入“0”低电平时间	标准速度⁽⁶⁾	60		120	µs
t_W0L	写入“0”低电平时间	超速⁽⁶⁾	6		15.5	µs
t_W1L	写入“1”低电平时间	标准速度⁽⁶⁾	1		15	µs
t_W1L	写入“1”低电平时间	超速⁽⁶⁾	1		2	µs
IO 引脚：单线读取
t_RL	读取低电平时间	标准速度⁽²⁾、⁽⁷⁾	5		15 - t_RC	µs
t_RL	读取低电平时间	超速⁽²⁾、⁽⁷⁾	1		2 - t_RC	µs
t_RDS	读取采样时间⁽⁸⁾	标准速度⁽²⁾、⁽⁷⁾	t_RL + t_RC		15	µs
t_RDS	读取采样时间⁽⁸⁾	超速⁽²⁾、⁽⁷⁾	t_RL + t_RC		3	µs
FRAM
NCY	写入/擦除周期（耐写次数）⁽²⁾				1M	周期
t_PROG	编程时间⁽²⁾	对于所有 7.5Kb 存储器			1	ms
t_DR	数据保留⁽⁹⁾	80°C 时		10		年
t_DR	数据保留⁽⁹⁾	85°C 时		7		年

(1) 在主机将 SDQ 驱动至逻辑 0 电平时，SDQ 上的电压需要始终小于或等于 V_ILMAX。

(2) 只由设计、特性分析或仿真指定。未经生产测试。

(3) 定义了比特率的最大可能值。

(4) 如果存在 TMF0008，则在 t_RSTL 之后的时间间隔内，总线主机可读取 SDQ 上的逻辑 0。存在检测脉冲可以在此时间间隔之外，但会在上电后 2ms 内完成。这种行为解决了单线器件长时间断电（总线低电平）的情况。然后，施加总线电源。允许器件发生故障，并生成一个违反存在时序规格的存在脉冲。然而，异常情况通常会在 10ms 内解决。

(5) 系统要求

(6) 图 6-17 和图 6-18 中的 t_ε 表示上拉电路将 SDQ 引脚上的电压从 V_IL 提高到 V_TH 所需的时间。因此，主机将线路拉至低电平的实际最大持续时间分别为 t_W1LMAX + t_F – t_ε 和 t_W0LMAX + t_F – t_ε。

(7) 图 6-19 中的 t_RC 表示上拉电路将 SDQ 引脚的电压从 V_IL 提高到主机器件输入高电平阈值所需的时间。因此，主机将线路拉至低电平的实际最大持续时间为 t_RLMAX + t_F。

(8) 指在前一个上升沿达到 V_TH 后，能够识别负边沿的最短时间。

(9) 数据保留时间随着 T_A 增加而降低。不建议在高温下长期贮存。