ZHDS306E October   1987  – July 2026 TLC27M4 , TLC27M4A , TLC27M4B , TLC27M9

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较表
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  功耗额定值
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  电气特性 - TLC27M4C 5V
    5. 6.5  电气特性 - TLC27M4C 10V
    6. 6.6  电气特性 - TLC27M4I 5V
    7. 6.7  电气特性 - TLC27M4I 10V
    8. 6.8  电气特性 - TLC27M4M 5V
    9. 6.9  电气特性 - TLC27M4M 10V
    10. 6.10 工作特性 - TLC27M4
    11. 6.11 工作特性 - TLC27M4M 5V
    12. 6.12 工作特性 - TLC27M4M 10V
    13. 6.13 典型特性
    14. 6.14 新旧芯片比较
  8. 参数测量信息
    1. 7.1 单电源与双电源测试电路
    2. 7.2 输入偏置电流
    3. 7.3 低电平输出电压
    4. 7.4 输入偏移电压温度系数
  9. 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 单电源供电
      2. 8.1.2 输入特性
      3. 8.1.3 噪声性能
      4. 8.1.4 输出特征
      5. 8.1.5 反馈
      6. 8.1.6 静电放电保护
      7. 8.1.7 闩锁效应
    2. 8.2 典型应用
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 第三方产品免责声明
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • D|14
  • PW|14
  • N|14
  • NS|14
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (October 2012)to RevisionE (July 2026)

  • 在文档标题中添加了器件名称Go
  • 将修整后的偏移电压从 ±900μV 更改至 ±300μVGo
  • 将低功耗从 2.1mW 更改至静态电流 120μAGo
  • 将高输入阻抗从 1012Ω 更改为 6TΩGo
  • 删除了共模输入电压范围Go
  • 删除了“输出电压范围包括负电源导轨”Go
  • 删除了小外形封装选项Go
  • 添加了应用部分Go
  • 添加了“器件信息”表Go
  • 删除了TLC27M4Y 芯片信息 一节Go
  • 删除了流入 VDD 的总电流Go
  • 删除了流出 GND 的总电流Go
  • 删除了持续总功耗Go
  • 删除了 60 秒内的外壳温度Go
  • 将输出电流从 ±30mA 更改至连续输出短路电流Go
  • 将 TLC27M4C 的输入偏移电压从 1.1mV 更改至 ±0.3mVGo
  • 将 TLC27M4AC 的输入偏移电压从 0.9mV 更改至 ±0.3mVGo
  • 将 TLC274BC 的输入偏移电压从 250μV 更改至 ±300μVGo
  • 将 TLC279C 的输入偏移电压典型值从 210μV 更改至 ±300μVGo
  • 将 TLC279C 的输入偏移电压最大值从 900μV 更改至 1500μVGo
  • 删除了 VIO、IIO 和 IIB 的测试条件Go
  • 将共模抑制比从 91dB 更改至 80dB,电源电压抑制比Go
  • 将电源电压抑制比从 93dB 更改至 140dB(25°C 时)和 120dB(0°C 和 70°C 时)Go
  • 将输入电压的平均温度系数从 2.1μV/°C 更改至 ±0.75μV/°CGo
  • 将输入偏移电流从 0.1pA 更改至 ±5pAGo
  • 将输入偏置电流从 0.7pA 更改至 ±10pAGo
  • 将共模输入电压范围从 -0.3V 更改至 -0.2VGo
  • 将高电平输出电压从 8.7V 更改至 9.95VGo
  • 将大信号差分电压放大系数从 275V/mV 更改至 1000V/mVGo
  • 删除了 TA = 0°C 和 70°C 时的值Go
  • 将 100mV 时的压摆率从 0.43V/μs 更改至 0.5V/μsGo
  • 将 1V 时的压摆率从 0.40V/μs 更改至 4.5V/μsGo
  • 将压摆率中的 RL 从 100kΩ 更改至 10kΩGo
  • 将最大输出摆幅带宽从 55kHz 更改至 40kHzGo
  • 将相位裕度从 40° 更改至 60°Go
  • 合并了 5V 和 10V 工作特性表Go
  • 更新了包含新裸片特性的曲线图Go
  • 添加了新旧裸片比较 一节Go
  • 删除了全功率响应测试时间 部分Go
  • 删除了“电容性负载和测试电路的影响”、“使用电阻上拉以提高 VOH”以及“输入电容补偿”等图示Go
  • 删除了有关增强电流容量的文本Go
  • 添加了“输入电容补偿”图示Go
  • 删除了“维恩振荡器”、“高精度小电流灌电流”、“麦克风前置放大器”、“具有环境光抑制功能的光电二极管放大器”、“低功耗稳压器”和“单轨交流放大器”的图示Go
  • 添加了典型应用 部分Go
  • 典型应用 一节增添了“高精度小电流灌电流”、“麦克风前置放大器”、“具有环境光抑制功能的光电二极管放大器”、“5V 低功耗稳压器”和“单轨交流放大器”的图示。Go