ZHDS306E October 1987 – July 2026 TLC27M4 , TLC27M4A , TLC27M4B , TLC27M9
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
CMOS 器件由于固有的寄生晶闸管而容易受到闩锁效应的影响，因此 TLC27M4 和 TLC27M9 的输入和输出设计为能够承受 -100mA 浪涌电流而不发生闩锁；但是，可以尽可能采用技术来降低闩锁效应的可能性。根据设计，内部保护二极管不可正向偏置。施加到输入或输出的电压不得比电源电压高出 300mV 以上。在脉冲发生器上使用电容性耦合时，务必小心。可以使用去耦电容器（典型值为 0.1μF）来分流电源瞬变，将该电容器置于电源导轨上尽可能靠近器件即可。
如果发生闩锁效应，建立的电流路径通常介于正电源导轨和接地之间，并可由电源线上的浪涌和/或超过电源电压的输出或输入电压触发。发生闩锁效应后，电流仅受电源阻抗和寄生晶闸管正向电阻的限制，通常会导致器件损坏。发生闩锁效应的可能性随着温度和电源电压增加而增加。