ZHCSFU2C December   2016  – October 2025 OPA4277-SP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
    1. 4.1 裸片信息
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入保护
      2. 6.3.2 输入偏置电流消除
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • JDJ|28
  • HFR|14
  • KGD|0
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

TA = 25°C，VS = ±5V 至 ±15V，且 RL = 2kΩ 时（除非另有说明）。辐照后规格不适用于非 RHA 等级，包括工程样片。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
失调电压
VOS 输入偏移电压 TJ = 25°C，辐照前和辐照后 ±20 ±65 µV
TJ = –55°C 至 +125°C，辐照前 ±140
dVOS/dT 输入失调电压温漂 TJ = –55°C 至 +125°C，辐照前 ±0.15 µV/°C
输入偏移电压长期稳定性 0.2 µV/mo
PSRR 电源抑制比
VS = ±2V 至 ±18V，
TJ = 25°C，辐照前和辐照后		 ±0.3 ±1 µV/V
VS = ±2V 至 ±18V，
TJ = –55°C 至 +125°C		 ±1
通道隔离 DC 0.1 µV/V
输入偏置电流
IB 输入偏置电流 TJ = -55°C 至 +125°C ±17.5 nA
TJ = 25°C，辐照前和辐照后 ±17.5
IOS 输入失调电流 TJ = -55°C 至 +125°C ±17.5 nA
TJ = 25°C，辐照前和辐照后 ±17.5
噪声
输入电压噪声 ƒ = 0.1 至 10Hz 0.22 µVpp
输入电压噪声密度 ƒ = 10Hz 12 nV/√Hz
ƒ = 100Hz 8
ƒ = 1kHz 8
ƒ = 10kHz 8
in 输入噪声电流密度 ƒ = 1kHz 0.2 fA/√ Hz
输入电压
VCM 共模电压范围 TJ = 25°C，辐照前和辐照后 (V–) + 2 (V+) – 2 V
CMRR 共模抑制比 (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V，
TJ = 25°C，辐照前和辐照后，JDJ 封装和 KGD		 114 140 dB
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V，
TJ = –55°C 至 +125°C，
JDJ 封装和 KGD		 114
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V，
TJ = 25°C，辐照前和辐射后，HFR 封装		 100 121
(V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V，
TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封装		 100
输入阻抗
差分 100 || 3 MΩ || pF
共模 (V–) + 2V < VCM < (V+) – 2V 250 || 3 GΩ || pF
频率响应
GBW 增益带宽积 1 MHz
SR 压摆率 0.8 V/µs
趋稳时间 0.1%、10V 阶跃、VS = ±15V、G = 1 14 µs
0.01%、10V 阶跃、VS = ±15V、G = 1 16
THD + N 总谐波失真 + 噪声 1kHz、G = 1、VO = 3.5Vrms 0.002%
开环增益
AOL 开环电压增益 VO = (V–) + 0.5V 至 (V+) – 1.2V，
RL = 10kΩ		 140 dB
VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V，
RL = 2kΩ，TJ = 25°C，
辐射前和辐射后，
JDJ 封装和 KGD		 118 134
VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V，
RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C，JDJ 封装和 KGD		 118 134
VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V，
RL = 2kΩ，TJ = 25°C，
辐射前和辐射后，
HFR 封装		 100 123
VO = (V–) + 1.5V 至 (V+) – 1.5V，
RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封装		 100 123
VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V，
RL = 600Ω，VS = ±7V，TJ = 25°C，
辐射前和辐射后，
JDJ 封装和 KGD		 118 134
VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V，
RL = 600Ω，VS = ±7V，
TJ = –55°C 至 +125°C，
JDJ 封装和 KGD		 118 134
VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V，
RL = 600Ω，VS = ±7V，TJ = 25°C，
辐射前和辐射后，
HFR 封装		 90 114
VO = (V–) + 3.4V 至 (V+) – 3.4V，
RL = 600Ω，VS = ±7V，
TJ = –55°C 至 +125°C，HFR 封装		 90 114
输出
VO 输出电压 RL = 10kΩ，TJ = 25°C，
辐照前和辐射后		 (V–) + 0.5 (V+) – 1.2 V
RL = 10kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C (V–) + 0.5 (V+) – 1.2
RL = 2kΩ，TJ = 25°C，
辐照前和辐射后		 (V–) + 1.5 (V+) – 1.5
RL = 2kΩ，TJ = –55°C 至 +125°C (V–) + 1.5 (V+) – 1.5
TJ = 25°C，RL = 600Ω，
辐照前和辐射后		 (V–) + 3.4 (V+) – 3.4
RL = 600Ω，VS = ±7V，
TJ = –55°C 至 +125°C		 (V–) + 3.4 (V+) – 3.4
ISC 短路电流 ±35 mA
CLOAD 容性负载驱动 ƒ = 350kHz，IO = 0mA 请参阅节 5.6
电源
IQ 每个放大器的静态电流 IO = 0mA，TJ = 25°C，
辐照前和辐射后		 ±790 ±850 µA
IO = 0mA，TJ = –55°C 至 +125°C ±900