ZHCSS00AB March   2000  – June 2025 LP2985-N

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. Pin Configuration and Functions
  6. Specifications
    1. 5.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 5.2 ESD Ratings
    3. 5.3 Recommended Operating Conditions
    4. 5.4 Thermal Information
    5. 5.5 Electrical Characteristics
    6. 5.6 Typical Characteristics
  7. Detailed Description
    1. 6.1 Overview
    2. 6.2 Functional Block Diagrams
    3. 6.3 Feature Description
      1. 6.3.1 Output Enable
      2. 6.3.2 Dropout Voltage
      3. 6.3.3 Current Limit
      4. 6.3.4 Undervoltage Lockout (UVLO)
      5. 6.3.5 Output Pulldown
      6. 6.3.6 Thermal Shutdown
    4. 6.4 Device Functional Modes
      1. 6.4.1 Normal Operation
      2. 6.4.2 Dropout Operation
      3. 6.4.3 Disabled
  8. Application and Implementation
    1. 7.1 Application Information
      1. 7.1.1 Recommended Capacitor Types
        1. 7.1.1.1 Recommended Capacitors (Legacy Chip)
        2. 7.1.1.2 Recommended Capacitors (New Chip)
      2. 7.1.2 Input Capacitor Requirements
      3. 7.1.3 Output Capacitor Requirements
      4. 7.1.4 Noise Bypass Capacitor (CBYPASS)
      5. 7.1.5 Reverse Current
      6. 7.1.6 Power Dissipation (PD)
      7. 7.1.7 Estimating Junction Temperature
    2. 7.2 Typical Application
      1. 7.2.1 Design Requirements
      2. 7.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 7.2.2.1 ON/OFF Input Operation
      3. 7.2.3 Application Curves
    3. 7.3 Power Supply Recommendations
    4. 7.4 Layout
      1. 7.4.1 Layout Guidelines
      2. 7.4.2 Layout Example
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 器件命名规则
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. Revision History
  11. 10Mechanical, Packaging, and Orderable Information

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • VIN 范围:2.5V 至 16V
  • VOUT 范围(新芯片):
    • 1.2V 至 5.0V(固定值,100mV 阶跃)
  • VOUT 范围(旧芯片):2.5V 至 6.1V
  • VOUT 精度:
    • A 级(旧芯片)为 ±1%
    • 标准级(旧芯片)为 ±1.5%
    • ±0.5%(新芯片)
  • 在整个负载和温度范围内的输出精度:
    • ±1%(新芯片)
  • 输出电流:高达 150mA
  • 低 IQ(新芯片):ILOAD = 0mA 时为 71μA
  • 低 IQ(新芯片):ILOAD = 150mA 时为 750μA
  • 关断电流:
    • 0.05μA(典型值,旧芯片)
    • 1.12μA(典型值,新芯片)
  • 低噪声:30μVRMS(具有 10nF 旁路电容器)
  • 输出电流限制和热保护
  • 与 2.2µF 陶瓷电容器搭配使用时可保持稳定(新芯片)
  • 高 PSRR:1kHz 频率下为 70dB,1MHz 频率下为 40dB
  • 工作结温:-40°C 至 +125°C
  • 封装:5 引脚 SOT-23 (DBV)