ZHCSLU3C March   2020  – January 2021 LMQ61460-Q1

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 说明（续）
  6. 6 器件比较表
  7. 7 引脚配置和功能
  8. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 计时特性
    7. 8.7 系统特性
    8. 8.8 典型特性
  9. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  EN/SYNC 用于使能和 VIN UVLO
      2. 9.3.2  用于同步的 EN/SYNC 引脚
      3. 9.3.3  可调开关频率
      4. 9.3.4  时钟锁定
      5. 9.3.5  PGOOD 输出运行
      6. 9.3.6  内部 LDO、VCC UVLO 和 BIAS 输入
      7. 9.3.7  自举电压和 VCBOOT-UVLO（CBOOT 引脚）
      8. 9.3.8  SW 节点压摆率可调
      9. 9.3.9  展频
      10. 9.3.10 软启动和从压降中恢复
      11. 9.3.11 输出电压设置
      12. 9.3.12 过流和短路保护
      13. 9.3.13 热关断
      14. 9.3.14 输入电源电流
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 关断模式
      2. 9.4.2 待机模式
      3. 9.4.3 工作模式
        1. 9.4.3.1 CCM 模式
        2. 9.4.3.2 自动模式 - 轻负载运行
          1. 9.4.3.2.1 二极管仿真
          2. 9.4.3.2.2 降频
        3. 9.4.3.3 FPWM 模式 - 轻负载运行
        4. 9.4.3.4 最短导通时间（高输入电压）运行
        5. 9.4.3.5 压降
  10. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1  选择开关频率
        2. 10.2.2.2  设置输出电压
        3. 10.2.2.3  电感器选型
        4. 10.2.2.4  输出电容器选型
        5. 10.2.2.5  输入电容器选择
        6. 10.2.2.6  BOOT 电容器
        7. 10.2.2.7  启动电阻器
        8. 10.2.2.8  VCC
        9. 10.2.2.9  BIAS
        10. 10.2.2.10 CFF 和 RFF 选择
        11. 10.2.2.11 外部 UVLO
      3. 10.2.3 应用曲线
  11. 11电源相关建议
  12. 12布局
    1. 12.1 布局指南
      1. 12.1.1 接地及散热注意事项
    2. 12.2 布局示例
  13. 13器件和文档支持
    1. 13.1 文档支持
      1. 13.1.1 相关文档
    2. 13.2 接收文档更新通知
    3. 13.3 支持资源
    4. 13.4 商标
    5. 13.5 静电放电警告
    6. 13.6 术语表
  14. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.3.12 过流和短路保护

该器件通过针对高侧和低侧 MOSFET 的逐周期电流限制在过流情况下得到保护。

高侧 MOSFET 过流保护是通过峰值电流模式控制的特性来实现的。当高侧开关在较短的消隐时间后导通时，将检测到高侧开关电流。在每个开关周期，将高侧开关电流与固定电流设定点的最小值，或与电压调节环路的输出减去斜率补偿之后的值进行比较。由于电压环路具有最大值并且斜率补偿随占空比增加，因此当占空比高于 35% 时，高侧电流限值会随着占空比的增加而减小。请参阅图 9-12。

GUID-62E04386-C3A7-46AA-90A6-780F92507E75-low.gif图 9-12 允许流经 HS FET 的最大电流 - LMQ61460-Q1 占空比的函数

当低侧开关接通时，也会检测和监控开关电流。与高侧器件一样，低侧器件会根据电压控制环路低侧电流限值的命令关断。如果低侧开关电流在开关周期结束时高于 ILS_Limit，则开关周期会延长，直到低侧电流降至限值以下。一旦低侧电流降至其限值以下，低侧开关就会关断，并且只要自高侧器件上次导通后至少经过一个时钟周期，高侧开关就会再次导通。

GUID-6E15134B-D605-49F0-B2CD-8E8BB17218FF-low.gif图 9-13 电流限值波形

由于电流波形假定值介于 IL-HS 和 IL-LS 之间，因此最大输出电流非常接近这两个值的平均值。使用了迟滞控制，并且当输出电压接近零时，电流不会增加。

如果存在极端过载情况，该器件会采用断续过流保护，并且在连续 128 个开关周期内满足以下条件：

  • 输出电压低于输出电压设定点的约 0.4 倍。
  • 自软启动开始以来，经过了大于 tSS2 的时间；请参阅Topic Link Label9.3.10。
  • 该器件不在压降下运行，表明具有最短关断时间受控占空比。

在断续模式下，器件会自行关断，并在 tW 后尝试软启动。断续模式有助于在严重过流和短路情况下降低器件功耗。请参阅图 9-14。

一旦消除过载，器件就会像在软启动中一样恢复；请参阅图 9-15。

GUID-3F73F5BC-9A88-489A-8379-7162B53E7E77-low.gif图 9-14 断续期间的电感器电流突发
GUID-B96D4FB9-94DD-46C5-BAAB-0E31FA4FF5ED-low.gif图 9-15 短路恢复