ZHCSSY5A December   2024  – October 2025 LMK3C0105

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 运行
        2. 7.4.2.2 数字状态机
        3. 7.4.2.3 展频时钟
        4. 7.4.2.4 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
        2. 7.4.3.2 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出启用
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器（地址 = 0x0）[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器（地址 = 0x1）[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器（地址 = 0x2）[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器（地址 = 0x3）[复位 = 0x1804]
      5. 8.1.5  R4 寄存器（地址 = 0x4）[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器（地址 = 0x5）[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器（地址 = 0x6）[复位 = 0x0AA7]
      8. 8.1.8  R7 寄存器（地址 = 0x7）[复位 = 0x5D1F]
      9. 8.1.9  R8 寄存器（地址 = 0x8）[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器（地址 = 0x9）[复位 = 0x3000/0x1000]
      11. 8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器（地址 = 0xB）[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器（地址 = 0xC）[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R238 寄存器（地址 = 0xEE）[复位 = 0x0000]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例：更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RER|16
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.6 I2C 接口规范

所有时序要求均以 VIH-min 和 VIL-max 为基准。芯片 VDD = I2C VDD。
参数 测试条件 标准模式 快速模式 单位
最小值 最大值 最小值 最大值
VIL 输入低电压 -0.3 0.3 × VDD -0.3 0.3 × VDD V
VIH 输入高电压 0.7 × VDD VDD + 0.3 0.7 × VDD VDD + 0.3 V
Vhys 施密特触发输入迟滞 0.05 × VDD V
VOL1 低电平输出电压 1 3mA 灌电流。VDD > 2V 0 0.4 0 0.4 V
VOL2 低电平输出电压 2 2mA 灌电流。VDD ≤ 2V 0 0.2 × VDD V
IOL 低电平输出电流 VOL = 0.4V 3 3 mA
VOL = 0.6V 6 mA
tOF 从 VIHmin 到 VILmax 的输出下降时间 250 20 × (VDD/5.5 V) 250 ns
tSP 必须由输入滤波器进行抑制的尖峰脉冲宽度 0 50 ns
Ii 每个 I/O 引脚的输入电流 0.1 × VDD < VIN < 0.9 × VDDmax -10 10 -10 10 µA
Ci 每个 I/O 引脚的电容 10 10 pF
fSCL SCL 时钟频率 0 100 0 400 kHz
tHD-STA （重复）START 条件后的保持时间 在这段时间后，第一个时钟脉冲被生成。 4 0.6 µs
tlow SCL 时钟的低电平周期 4.7 1.3 µs
thigh SCL 时钟的高电平周期 4 0.6 µs
tSU-STA 重复 START 条件的建立时间 4.7 0.6 µs
tHD-DAT 数据保持时间 I2C 总线器件 0 0 µs
tSU-DAT 数据建立时间 0.25 0.1 µs
tR SDA 和 SCL 信号的上升时间 (1) 300 20 300 ns
tF SDA 和 SCL 信号的下降时间 (1) 300 20 × (VDD/5.5V) 300 ns
tSU-STO STOP 条件的建立时间 4 0.6 µs
tBUF STOP 与 START 条件之间的总线空闲时间 4.7 1.3 µs
CB 每个总线的容性负载 400 400 pF
tVD-DAT 数据有效时间 3.45 0.9 µs
tVD-ACK 数据有效确认时间 3.45 0.9 µs
VNL 低电平的噪声容限 对于每个连接的器件，包括迟滞 0.1 × VDD 0.1 × VDD V
VNH 高电平的噪声容限 对于每个连接的器件，包括迟滞 0.2 × VDD 0.2 × VDD V