ZHCSSP7C February   2025  – October 2025 LMH13000

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 低电流模式的电气特性 (MODE = 0)
    6. 5.6 高电流模式的电气特性 (MODE = 1)
    7. 5.7 典型特性
    8. 5.8 参数测量信息
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 恒定电流 (ICC)
      2. 6.3.2 传播延迟与温度间的关系
        1. 6.3.2.1 随温度变化的传播延迟校准
        2. 6.3.2.2 直接从 IOUT 启动脉冲
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 光学飞行时间系统
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 使用 LMH13000 的自动电源控制环路
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RQE|13
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 低电流模式的电气特性 (MODE = 0)

在 TA = 25°C 时，PVDD = AVDD = 5V，RBIAS = AVDD，MODE = 0，PD = 0，缓冲器为 图 5-31（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
IOUT 直流性能
IOUT 调节电流(1) VSET = 0.01V 至 2V TA = -40°C 至 +125°C 0.005 1 A
IOUT 精度 IOUT = 0.1A ±14.5 %
IOUT = 1A ±5.5
IOUT 变化 IOUT = 0.1A TA = -40°C 至 +125°C ±3.5 %
IOUT = 1A TA = -40°C 至 +125°C ±1
MINVIOUT 最小 VIOUT(2)  IOUT = 0.1A  TA = -40°C 至 +125°C 0.7 V
IOUT = 1A  TA = -40°C 至 +125°C 2.1
ILEAK IOUT 下的漏电流 PD = 1 或 LVDS = 0  170 nA
TA = -40°C 至 +125°C 48 µA
MAXVIOUT 最大 VIOUT 18 V
IOUT 交流性能（RDAMP = 1Ω，LLOAD = 1nH），请参阅图 5-31
CIOUT IOUT 阻抗 并联电容(3) 请参阅图 5-12 pF
LIOUT IOUT 阻抗 串联电感(4) 100 pH
IOUT 噪声 IOUT = 100mA，
积分带宽 = 100MHz		 TA = -40°C 至 +125°C 60 µARMS
tr IOUT 上升时间  IOUT = 1A，VLD = 4V 0.4 ns
TA = -40°C 至 +125°C 0.5
tf IOUT 下降时间  IOUT = 1A，VLD = 4V 0.3 ns
TA = -40°C 至 +125°C 0.4
IOUT 过冲 IOUT = 1A，VLD = 4V 23 %
IOUT 下冲 IOUT = 1A，VLD = 4V 10 %
IOUT 稳定时间 IOUT = 1A，10% 稳定 3 ns
VSET（IOUT 控制引脚） 
VSET 输入偏置电流 TA = -40°C 至 +125°C 50 nA
VSET 输入阻抗 4 || 8 GΩ || pF
VSET VSET 引脚电压 For IOUT = 0.05A 至 1A 0.1 2 V
k VSET 至 IOUT 的比例因子 IOUT = VSET / RSET × k 10000
IOUT / VSET 带宽  800 kHz
RSET RSET 上的建议电阻 20 kΩ
恒定电流 (ICC)，当 MODE = 0 和 MODE = 1 时
ICC 恒定电流 RBIAS = 25kΩ 至 500Ω 时  4 200 mA
禁用 连接 RBIAS AVDD V
精度  ICC = 100mA ±5.5 %
TA = -40°C 至 +125°C ±7.5
LVDS 输入
LVDS 至 IOUT 传播延迟  IOUT = 1A 10 ns
TA = -40°C 至 +125°C 13
频率 (LVDS/TTL/CMOS) 250 MHz
EP 和 EN 电压  VCM ± VDIFF(5) f > 10MHz AGND + 0.5 AVDD – 0.5 V
DC 且 f = 10MHz AGND AVDD
IOUT 抖动 f < 250MHz，50% 占空比 6 ps
电源
静态的静态电流 LVDS = 0，VSET = 0.2V 7 mA
TA = -40°C 至 +125°C 8
动态的静态电流  在 10MHz 时的 ΔLVDS，IOUT = 1A 13 mA
在 250MHz 时的 ΔLVDS，IOUT = 1A 80 mA
MODE = 0 和 MODE = 1 时的热关断
TSHD 热关断温度 160 ℃
热关断迟滞 10 ℃
芯片热时间常量 JEDEC PCB 上安装的器件 请参阅图 5-28
MODE，对于 MODE = 0 和 MODE = 1
工作模式 低电流模式，MODE = 0 TA = -40°C 至 +125°C AGND + 1.2 V
高电流模式，MODE = 1 TA = -40°C 至 +125°C AVDD – 1.2
断电，对于 MODE = 0 和 MODE = 1
IPD 关断电流 TA = -40°C 至 +125°C 35 µA
启用电压阈值 PD = 0 TA = -40°C 至 +125°C AGND + 1.2 V
禁用电压阈值 PD = 1 TA = -40°C 至 +125°C AVDD – 1.2 V
开通延时时间 PD = 1 → 0 TA = -40°C 至 +125°C 15 µs
关断延时时间 PD = 0 → 1 TA = -40°C 至 +125°C 1 µs
(1) LMH13000 继续在 VSET 大于所述限值的情况下运行；但是无法保证寿命可靠性。
(2) 维持 MINVIOUT  以提供 IOUT 精度。如果 IOUT 精度不是很重要，请进一步降低此规格以提高热性能。
(3) CIOUT 是 IOUT 引脚到 PGND 引脚的电容。
(4) LIOUT 是从 IOUT 引脚到内部 FET 漏极的串联电感。
(5) 仅在高频运行时，施加到 EP 和 EN 上的电压保持与任一电源轨至少相差 0.5V。对于低频运行，EP 和 EN 可以上升到任一电源轨。