ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
LMG1025-Q1 EVM 用于获取应用波形。该 EVM 具有 LDO、输入缓冲器、GaN FET 和负载电阻。它展示了在等效半导体激光二极管电流切换时的 LMG1025-Q1 开关性能。图 7-6 和图 7-7 显示了在类似应用的设置中的 VDD 导通和关断延迟。系统设计人员需要确保这些延迟在其设计中是可以接受的。激光雷达设计需要对激光二极管发射持续时间非常短的脉冲。图 7-8 展示了 LMG1025-Q1 如何不仅能够在其输入端处理纳秒脉冲,而且还可以在输出端产生纳秒脉冲,同时驱动具有 3.2nC 典型总栅极电荷的合理尺寸 GaN FET。图 7-8 还展示了 LMG1025-Q1 非常小的上升和下降传播延迟,例如小于 3ns。图 7-9 展示了 LMG1025-Q1 的驱动强度。其中展示了 LMG1025-Q1 如何实现亚纳秒级的上升和下降时间,这对于激光雷达应用来说非常重要。
图 7-6 启动时间
图 7-8 输入脉冲宽度和传播延迟
图 7-7 关断时间
图 7-9 上升和下降时间