ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 处理接地反弹
        2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
        3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
        4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
      2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRV|6
  • DEE|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1 概述

LMG1025-Q1 是一款适用于 GaN 和逻辑电平 MOSFET 的高性能低侧 5V 栅极驱动器。虽然该器件为了在高速应用中良好运行而设计，如无线电力传输和激光雷达/ToF，但它可用于任何需要低侧栅极驱动器的应用。LMG1025-Q1 经过优化，可通过驱动器向功率晶体管提供最低传播延迟。LMG1025-Q1 采用小型 2mm×2mm QFN 封装，具有可湿性侧面，以最大限度地减少其寄生电感。在驱动功率 FET 时，为了在极高频率运行中实现高电流、低振铃性能，这种低电感设计十分必要。在使用 LMG1025-Q1 进行设计时同样如此。此外，在许多汽车应用中，为了提高系统强健性，也会需要具有可湿性侧面的 QFN 封装。