ZHCSKQ1C May 2019 – December 2024 LMG1025-Q1
PRODUCTION DATA
请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。
为了使用 LMG1025-Q1 实现快速开关频率,紧凑的低电感栅极驱动环路至关重要。LMG1025-Q1 应尽可能靠近 GaN FET 放置,由栅极驱动电阻将 OUTH 和 OUTL 紧靠 FET 栅极与之连接。需要使用大布线以最大限度地减小电阻和寄生电感。
为了最大限度减小栅极驱动环路电感,源极回路应位于 PCB 的第 2 层,紧靠元件(顶层)层下方。紧邻 FET 源极和 LMG1025-Q1 GND 引脚二者的过孔以最小阻抗连接到该平面。最后,必须注意仅在 FET 处将 GND 平面连接到源电源平面,以便最大限度地减小共源电感并减少与接地平面的耦合。