ZHCSKQ1C May   2019  – December 2024 LMG1025-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 开关特性
    7. 5.7 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 输入级
      2. 6.3.2 输出级
      3. 6.3.3 辅助电源和欠压锁定
      4. 6.3.4 过热保护 (OTP)
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 处理接地反弹
        2. 7.2.2.2 生成纳秒脉冲
        3. 7.2.2.3 VDD 和过冲
        4. 7.2.2.4 以更高频率运行
      3. 7.2.3 应用曲线
  9. 8 电源相关建议
  10. 9 布局
    1. 9.1 布局指南
      1. 9.1.1 栅极驱动环路电感和接地连接
      2. 9.1.2 旁路电容器
    2. 9.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 器件支持
      1. 10.1.1 第三方产品免责声明
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 商标
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DRV|6
  • DEE|6
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.1 应用信息

为了在非常高的开关频率下运行 GaN FET 或 MOSFET 并减少相关开关损耗，应在控制器的 PWM 输出与 GaN 晶体管的栅极之间采用一款强大的栅极驱动器。此外，当 PWM 控制器的输出不满足直接驱动开关器件栅极所需的电压或电流电平时，栅极驱动器也是不可或缺的。数字电源出现之后，经常会遇到这种情况，因为数字控制器发出的 PWM 信号通常是 3.3V 逻辑信号，无法有效导通电源开关。需要使用电平转换电路将 3.3V 信号提升至栅极驱动电压（如 5V），以便完全导通功率器件，并尽可能减少导通损耗。

栅极驱动器可有效地提供缓冲驱动功能。栅极驱动器还可以满足其他需求，如尽可能减小高频开关噪声的影响（通过将大电流驱动器靠近电源开关放置）、通过将栅极电荷功率损耗移从控制器移至驱动器来降低控制器中的功率耗散和热应力。

LMG1025-Q1 是一款高频低侧栅极驱动器，适用于单端配置的增强模式 GaN FET 和 Si FET。凭借具有强大拉电流和灌电流能力的分离栅极输出，它可以灵活地独立调整导通和关断强度。作为一款低侧驱动器，LMG1025-Q1 可用于各种应用，包括不同的电源转换器、激光雷达、飞行时间 (ToF) 激光驱动器、E 类无线充电器、同步整流器和增强现实器件。LMG1025-Q1 还可用作高频、低电流激光二极管驱动器，或者用作具有极短上升/下降时间的信号缓冲器。