8 修订历史记录
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLJ (January 2015)to RevisionK (February 2026)
- 移除了（除非另有说明，否则条件为 VS = 5V，TA = 25°C，典型值）Go
- 移除了 ±5% 趋稳时间 400ns（500pF，100mVPP 跃升）Go
- 将 GBWP 从 21MHz 更新为了 24MHzGo
- 将宽电源电压范围的下限从 2.5V 更新为了 2.7V，上限从 30V 更新为了 32VGo
- 将转换率从 12V/µs 更新为了 35V/µsGo
- 将电源电流从 0.97mA 更新为 1.35mAGo
- 将输出短路电流从 53mA/−75mA 更新为了 ±125mAGo
- 将输入电压噪声从 15nV/ √ Hz
更新为了 12nV/ √ Hz
Go
- 将 THD+N 从 <0.05% 更新为了 < 0.00022%Go
- 更新了整个文档中的表格、图和交叉参考的编号格式Go
- 已根据新芯片更新了说明。Go
- 已根据新芯片规格更新表格和脚注Go
- 将 CDM 的静电放电 (ESD) 值从 ±200V 更新为 ±1500VGo
- 更新了脚注Go
- 将电源电压最小值从 2.5V 更新为了 2.7V，最大值从 30V 更新为了 32VGo
- 将结至环境热阻从 325°C/W 更新为了 185.4°C/WGo
- 将电气特性 从 ±15V 更改为了 ±16V。Go
- 更新了表格说明Go
- 将输入偏移电压的测试条件更新为了 VCM =V–
Go
- 移除了 VCM =14.5V 条件下的输入偏置电流测试条件，以及对应的 −40°C ≤ TA ≤ +125°C 范围内的值Go
- 移除了 VCM =±14.5V 条件下的输入偏移电流测试条件，以及对应的 −40°C ≤ TA ≤ +125°C 范围内的值Go
- 更新了共模抑制比的测试条件，将 VCM 跃升范围从 −15V 至 13V 修改为 V– < VCM < (V+) – 2V，并将温度范围从 −65°C ≤ TJ ≤ +150°C 修改为 −40°C ≤ TA ≤ +125°CGo
- 移除了 VCM 跃升范围为 14V 至 15V 以及 VCM 跃升范围为 −15V 至 15 V 时的共模抑制比测试条件及对应数值Go
- 更新了电源抑制比的测试条件，将 V+ 从 ±12V 至 ±15V 修改为 VCM= V–、VS = 5V 至 32V，并将温度范围从 −65°C ≤ TJ ≤ +150°C 修改为 −40°C ≤ TA ≤ +125°CGo
- 更新了电源抑制比的典型值，从 100dB 修改为 ±3.5μV/V，并将最大值从 70 dB 修改为 ±22μV/VGo
- 移除了负电源抑制比Go
- 移除了 CMVR 值Go
- 更新了 VCM 的最小值 V− 和最大值 V+
Go
- 将开环电压增益的典型值更新为了 85dBGo
- 移除了大信号电压增益Go
- 移除了输出高电平摆幅Go
- 将 RL=10kΩ 条件下的轨到轨输出电压摆幅从 14.83V 更新为了 15.94VGo
- 将 RL=2kΩ 条件下的轨到轨输出电压摆幅从 14.73V 更新为了 15.8VGo
- 将 RL=10kΩ 条件下的轨到轨输出电压摆幅从 -14.91V 更新为了 -15.94VGo
- 将 RL=2kΩ 条件下的轨到轨输出电压摆幅从 -14.83V 更新为了 -15.8VGo
- 将输出短路电流的典型值从 60mA 更新为 125mA，最大值从 40mA 更新为了 ±62mA。Go
- 移除了输出短路电流的所有测试条件Go
- 将电源电流最大值从 1.50mA 更新为了 1.93mA，并从 1.90mA 更新为 2.23mAGo
- 将转换率从 15V/μs 更新为了 35V/μsGo
- 移除了单位增益频率Go
- 移除了增益带宽的最大值Go
- 将相位裕度的典型值从 58° 更新为了 50°Go
- 将输入电压噪声密度的典型值从 15nV/ √ hZ 更新为了 12nV/ √ hZ
Go
- 移除了全功率带宽Go
- 将趋稳时间的典型值从 320ns 更新为了 430nsGo
- 将总计谐波失真 + 噪声从 0.01% 更新为了 113dBGo
- 更新了“开环增益和相位与频率间的关系”图Go
- 更新了“闭环增益与频率间的关系”图Go
- 更新了“输入偏置电流和失调电流与共模电压间的关系”图Go
- 更新了“输出电压摆幅与输出电流（拉电流）间的关系”图Go
- 更新了“输出电压摆幅与输出电流（灌电流）间的关系”图Go
- 更新了“输入电压噪声频谱密度与频率间的关系”图Go
- 更新了“THD+N 比与频率间的关系”图Go
- 更新了“THD+N 与输出幅度间的关系”图Go
- 更新了开环输出阻抗与频率间的关系图Go
- 更新了“小信号过冲与容性负载间的关系”图Go
- 添加了新旧芯片比较
Go
- 移除了方框图和工作原理说明Go
- 移除了估算输出电压摆幅 部分Go
- 移除了 TFT 应用 部分Go
- 已添加低侧电流测量 部分Go
- 移除了 LM8261 优势 部分Go
- 已根据新芯片更新指南Go
- 移除了布局示例 部分Go
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLI (March 2013)to RevisionJ (January 2015)
- 添加、更新或修订了以下各个部分：引脚配置和功能、规范、详细说明、应用和实现、电源相关建议、布局、器件和文档支持 以及机械、封装和可订购信息 部分Go
- 在
节 5
中将 -1.0V 更改为了 -0.8VGo
Date Letter Revision History Changes Intro HTMLH (March 2013)to RevisionI (March 2013)
- 将美国国家通用数据表的版面布局更改为 TI 格式Go