ZHCSJ45E December 2018 – August 2023 LM5155 , LM51551
PRODUCTION DATA
- 1
- 1 特性
- 2 应用
- 3 说明
- 4 修订历史记录
- 5 说明（续）
- 6 器件比较表
- 7 引脚配置和功能
- 8 规格
-
9 详细说明
- 9.1 概述
- 9.2 功能方框图
- 9.3
特性说明
- 9.3.1 线路欠压锁定（UVLO/SYNC 引脚）
- 9.3.2 高压 VCC 稳压器（BIAS、VCC 引脚）
- 9.3.3 软启动（SS 引脚）
- 9.3.4 开关频率（RT 引脚）
- 9.3.5 时钟同步（UVLO/SYNC 引脚）
- 9.3.6 电流检测和斜率补偿（CS 引脚）
- 9.3.7 电流限制和最短导通时间（CS 引脚）
- 9.3.8 反馈和误差放大器（FB、COMP 引脚）
- 9.3.9 电源正常状态指示器（PGOOD 引脚）
- 9.3.10 断续模式过载保护（仅限 LM51551）
- 9.3.11 最大占空比限制和最小输入电源电压
- 9.3.12 MOSFET 驱动器（GATE 引脚）
- 9.3.13 过压保护 (OVP)
- 9.3.14 热关断 (TSD)
- 9.4 器件功能模式
- 10应用和实施
- 11器件和文档支持
- 12机械、封装和可订购信息
10.2.2.8 效率估算
升压转换器的总损耗 (PTOTAL) 可表示为以下损耗之和：器件中的损耗 (PIC)、MOSFET 功率损耗 (PQ)、二极管功率损耗 (PD)、电感器功率损耗 (PL) 和检测电阻中的损耗 (PRS)。
方程式 19. 
PIC 可分为栅极驱动损耗 (PG) 和静态电流导致的损耗 (PIQ)。
方程式 20. 
每种功率损耗的近似计算方法如下：
方程式 21. 
方程式 22. 
每种模式下的 IVIN 和 IVOUT 值可在节 8.5 的电源电流部分中找到。
PQ 可分为开关损耗 (PQ(SW)) 和导通损耗 (PQ(COND))。
方程式 23. 
每种功率损耗的近似计算方法如下：
方程式 24. 
tR 和 tF 是低侧 N 沟道 MOSFET 器件的上升时间和下降时间。ISUPPLY 是升压转换器的输入电源电流。
方程式 25. 
RDS(ON) 是 MOSFET 数据表中规定的 MOSFET 导通电阻。考虑自热导致的 RDS(ON) 增加。
PD 可以分为二极管导通损耗 (PVF) 和反向恢复损耗 (PRR)。
方程式 26. 
每种功率损耗的近似计算方法如下：
方程式 27. 
方程式 28. 
QRR 是二极管的反向恢复电荷，会在二极管数据表中指定。二极管的反向恢复特性对效率有很大影响，在高输出电压下尤其如此。
PL 是 DCR 损耗 (PDCR) 和交流磁芯损耗 (PAC) 之和。DCR 是电感器数据表中提到的电感器直流电阻。
方程式 29. 
每种功率损耗的近似计算方法如下：
方程式 30. 
方程式 31. 
方程式 32. 
∆I 是峰峰值电感器电流纹波。K、α 和 β 是磁芯相关因素、可由电感器制造商提供。
PRS 的计算公式如下：
方程式 33. 
电源转换器的效率可按照如下方式进行估计：
方程式 34. 