ZHDS242F May 1999 – May 2026 LM137 , LM337-N
PRODUCTION DATA
当功率在 IC 中耗散时,IC 芯片会产生温度梯度,从而影响各个 IC 电路元件。对于 IC 稳压器而言,由于功率耗散较大,这种梯度可能尤为显著。热稳压是指在指定时间内,每瓦特功率变化所产生的温度梯度对输出电压带来的影响(以输出电压变化百分比表示)。热稳压误差与电稳压或温度系数无关,其在功率耗散变化后的 5ms 至 50ms 内发生。热稳压取决于 IC 布局以及电气设计。稳压器的热稳压定义为:在施加功率阶跃后前 10ms 内,每瓦特功率变化引起的 VOUT 变化百分比。LM137 器件的规格为 0.02%/W(最大值)。

在图 6-1 中,当施加一个 10W 的脉冲并持续 10ms 时,典型的 LM137 器件输出漂移仅为 3mV(或 VOUT = -10V 的 0.03%)。因此,该性能完全处于 0.02%/W × 10 W = 0.2%(最大值)的规格限制范围内。当 10W 脉冲结束时,随着 LM137 芯片冷却,热稳压再次显示一个 3mV 的阶跃。
约 8mV (0.08%) 的负载调整率误差是热稳压误差以外的额外误差。
在图 6-2 中,当施加 10W 脉冲 100ms 时,输出漂移仅略高于前 10ms 的漂移,且热误差完全保持在 0.1% (10mV) 以内。
