ZHCSXH8W September 2007 – October 2025 ISO7240C , ISO7240CF , ISO7240M , ISO7241C , ISO7241M , ISO7242C , ISO7242M
PRODUCTION DATA
| 参数 | 测试条件 | 值 | 单位 | |
|---|---|---|---|---|
| 通用 | ||||
| CLR | 外部间隙(1) | 端子间的最短空间距离 | 8 | mm |
| CPG | 外部爬电距离(1) | 端子间的最短封装表面距离 | 8 | mm |
| DTI | 绝缘穿透距离 | 最小内部间隙 | 0.008 | mm |
| CTI | 相对漏电起痕指数 | DIN EN 60112 (VDE 0884-17);IEC 60112 | ≥400 | V |
| 材料组 | II | |||
| 过电压类别 | 额定市电电压 ≤ 150VRMS | I-IV | ||
| 额定市电电压 ≤ 300VRMS | I-III | |||
| DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)(2) | ||||
| VIORM | 最大重复峰值隔离电压 | 交流电压(双极) | 560 | VPK |
| VIOTM | 最大瞬态隔离电压 | VTEST = VIOTM,t = 60s(鉴定测试); VTEST = 1.2 × VIOTM,t = 1s(100% 生产测试) |
4000 | VPK |
| qpd | 视在电荷(3) | 方法 a:I/O 安全测试子组 2/3 后, Vini = VIOTM,tini = 60s; Vpd(m) = 1.2 × VIORM,tm = 10s |
≤5 | pC |
| 方法 a:环境测试子组 1 后, Vini = VIOTM,tini = 60s; Vpd(m) = 1.3 × VIORM,tm = 10s |
≤5 | |||
| 方法 b:常规测试(100% 生产测试) Vini = 1.2 × VIOTM,tini = 1s; Vpd(m) = 1.5 × VIORM,tm = 1s(方法 b1)或 Vpd(m) = Vini,tm = tini(方法 b2) |
≤5 | |||
| CIO | 势垒电容,输入至输出(4) | VI = 0.4 sin (2πft),f = 1MHz | 2 | pF |
| RIO | 隔离电阻,输入至输出(4) | VIO = 500V,TA = 25°C | >1012 | Ω |
| VIO = 500V,100°C ≤ TA ≤ 125°C | >1011 | |||
| VIO = 500V,TS = 150°C | >109 | |||
| 污染等级 | 2 | |||
| 气候类别 | 40/125/21 | |||
| UL 1577 | ||||
| VISO | 可承受的隔离电压 | VTEST = VISO = 2500VRMS,t = 60s(鉴定测试), VTEST = 1.2 × VISO = 3000VRMS,t = 1s(100% 生产测试) |
2500 | VRMS |