ZHCSN93A March   2023  – January 2025 DRV8952

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1  概述
    2. 6.2  功能方框图
    3. 6.3  特性说明
    4. 6.4  独立半桥运行
    5. 6.5  电流检测和调节
      1. 6.5.1 电流检测和反馈
      2. 6.5.2 使用外部电阻器进行电流检测
      3. 6.5.3 电流调节
    6. 6.6  电荷泵
    7. 6.7  线性稳压器
    8. 6.8  VCC 电压电源
    9. 6.9  逻辑电平引脚图
    10. 6.10 保护电路
      1. 6.10.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
      2. 6.10.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
      3. 6.10.3 逻辑电源上电复位 (POR)
      4. 6.10.4 过流保护 (OCP)
      5. 6.10.5 热关断 (OTSD)
      6. 6.10.6 nFAULT 输出
      7. 6.10.7 故障条件汇总
    11. 6.11 器件功能模式
      1. 6.11.1 睡眠模式 (nSLEEP = 0)
      2. 6.11.2 工作模式
      3. 6.11.3 nSLEEP 复位脉冲
      4. 6.11.4 功能模式汇总
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 驱动螺线管负载
        1. 7.1.1.1 螺线管驱动器典型应用
        2. 7.1.1.2 热计算
          1. 7.1.1.2.1 功率损耗计算
          2. 7.1.1.2.2 结温估算
        3. 7.1.1.3 应用性能曲线图
      2. 7.1.2 驱动步进电机
        1. 7.1.2.1 步进驱动器典型应用
        2. 7.1.2.2 功率损耗计算
        3. 7.1.2.3 结温估算
      3. 7.1.3 驱动有刷直流电机
        1. 7.1.3.1 有刷直流驱动器典型应用
        2. 7.1.3.2 功率损耗计算
        3. 7.1.3.3 结温估算
        4. 7.1.3.4 驱动单个有刷直流电机
      4. 7.1.4 驱动热电冷却器 (TEC)
      5. 7.1.5 驱动无刷直流电机
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 大容量电容
      2. 7.2.2 电源
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 PCB 材料推荐
      3. 7.3.3 散热注意事项
  9. 8 封装散热注意事项
    1. 8.1 DDW 封装
      1. 8.1.1 热性能
        1. 8.1.1.1 稳态热性能
        2. 8.1.1.2 瞬态热性能
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

典型值都是在 TA = 25°C 且 VVM = 24V 条件下的值。除非另有说明，否则所有限值都是在推荐工作条件下的限值。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
电源电压（VM、DVDD）
IVMVM 工作电源电流nSLEEP = 1，无负载，VCC = 外部 5V

4

7

mA
nSLEEP = 1，无负载，VCC = DVDD

6

9

IVMQVM 睡眠模式电源电流nSLEEP = 0

3

8

μA
tSLEEP睡眠时间nSLEEP = 0 至睡眠模式120μs
tRESETnSLEEP 复位脉冲nSLEEP 低电平至清除故障2040μs
tWAKE唤醒时间nSLEEP = 1 至输出转换0.851.2ms
tON导通时间VM > UVLO 至输出转换0.851.3ms
VDVDD内部稳压器电压无外部负载，6V < VVM < 55V4.7555.25V
无外部负载，VVM = 4.5V

4.35

4.45

V

电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCPVCP 工作电压6 V < VVM < 55 VVVM + 5V
f(VCP)电荷泵开关频率VVM > UVLO；nSLEEP = 1360kHz
逻辑电平输入（IN1、IN2、IN3、IN4、EN1、EN2、EN3、EN4、MODE、OCPM、nSLEEP）
VIL输入逻辑低电平电压00.6V
VIH输入逻辑高电平电压1.55.5V
VHYS输入逻辑迟滞（除 nSLEEP 以外的所有引脚）100mV

VHYS_nSLEEP

nSLEEP 逻辑迟滞

300

mV

IIL输入逻辑低电平电流VIN = 0V-11μA
IIH输入逻辑高电平电流VIN = DVDD50μA

t1

ENx 高电平到 OUTx 高电平延迟

INx = 1

2

μs

t2

ENx 低电平到 OUTx 低电平延迟INx = 1

2

μs

t3

ENx 高电平到 OUTx 低电平延迟INx = 0

2

μs

t4

ENx 低电平到 OUTx 高电平延迟INx = 0

2

μs

t5

INx 高电平到 OUTx 高电平延迟

600

ns

t6INx 低电平到 OUTx 低电平延迟600ns
控制输出 (nFAULT)
VOL输出逻辑低电平电压IO = 5mA0.35V
IOH输出逻辑高电平漏电流-11μA
电机驱动器输出（OUT1、OUT2、OUT3、OUT4）
RDS(ONH)高侧 FET 导通电阻

TJ = 25°C、IO = -5A

54

63

mΩ
TJ = 125°C、IO = -5A

80

94

mΩ
TJ = 150°C、IO = -5A

90

105mΩ
RDS(ONL)低侧 FET 导通电阻TJ = 25°C、IO = 5A

58

66

mΩ
TJ = 125°C、IO = 5A

85

98

mΩ
TJ = 150°C、IO = 5A

94

107mΩ
tRF输出上升/下降时间在 DDW 封装或 PWP 封装中，IO = 5A、MODE = 0、介于 10% 和 90% 之间

140

ns

对于 DDW 封装，IO = 5A，MODE = 1，介于 10% 和 90% 之间

70

ns

tD

输出死区时间

VM = 24V，IO = 5A

300

ns

电流检测和调节（IPROPI、VREF）

AIPROPI

电流镜增益

212

μA/A

KV

跨阻增益

VREF = 3.3V，PWP 封装

0.625

0.66

0.695

V/A

AERR

电流镜比例误差

10% 至 20% 额定电流

-7

9

%

20% 至 40% 额定电流

-4

6

40% 至 100% 额定电流

-3.5

5

IVREF

VREF 漏电流

VREF = 3.3V

20

nA

tOFF

PWM 关断时间

16

μs

tDEG

电流调节抗尖峰脉冲时间

0.5

μs

tBLK

电流调节消隐时间

1.5

μs

tDELAY

电流检测延迟时间

2

μs
保护电路
VUVLOVM UVLO 锁定VM 下降4.14.234.35V
VM 上升4.24.354.47
VCCUVLOVCC UVLO 锁定

VCC 下降

2.7

2.8

2.9

V

VCC 上升

2.75

2.92

3.05

VUVLO,HYS欠压迟滞上升至下降阈值110mV
VCPUV电荷泵欠压VCP 下降VVM + 2V
IOCP过流保护流经任何 FET 的电流

7.6

A
tOCP过流检测延迟

2.2

μs

tRETRY

过流重试时间

4.1

ms

TOTSD热关断内核温度 TJ150165180°C
THYS_OTSD热关断迟滞内核温度 TJ20°C
DRV8952 IPROPI 时序图图 5-1 IPROPI 时序图