ZHCSIK4B January 2017 – November 2018 DRV8886AT
PRODUCTION DATA.
应使用一个推荐电容值为 0.01µF 且额定电压为 VM 的低 ESR 陶瓷旁路电容将 VM 引脚旁路至 GND。该电容应尽可能靠近 VM 引脚放置,并通过较宽的迹线或通过接地平面与器件 GND 引脚连接。
必须使用额定电压为 VM 的大容量电容将 VM 引脚旁路至接地。该组件可以是电解电容。
必须在 CPL 和 CPH 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容。建议使用一个电容值为 0.022µF、额定电压为 VM 的电容。将此组件尽可能靠近引脚放置。
必须在 VM 和 VCP 引脚之间放置一个低 ESR 陶瓷电容。建议使用一个电容值为 0.22µF、额定电压为 16V 的电容。将此组件尽可能靠近引脚放置。
使用额定电压为 6.3V 的低 ESR 陶瓷电容将 AVDD 和 DVDD 引脚旁路至接地。将旁路电容尽可能靠近引脚放置。