ZHCSIK4B January   2017  – November 2018 DRV8886AT

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
    1.     简化原理图
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 引脚配置和功能
    1.     引脚功能
  6. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 额定值
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 分度器时序要求
    7. 6.7 典型特性
  7. 7 详细 说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性 说明
      1. 7.3.1  步进电机驱动器电流额定值
        1. 7.3.1.1 峰值电流额定值
        2. 7.3.1.2 均方根电流额定值
        3. 7.3.1.3 满量程电流额定值
      2. 7.3.2  PWM 电机驱动器
      3. 7.3.3  细分分度器
      4. 7.3.4  电流调节
      5. 7.3.5  通过 MCU DAC 控制 RREF
      6. 7.3.6  衰减模式
        1. 7.3.6.1 模式 1：用于上升电流的慢速衰减，用于下降电流的混合衰减
        2. 7.3.6.2 模式 2：用于上升和下降电流的混合衰减
        3. 7.3.6.3 模式 3：AutoTune 纹波控制
        4. 7.3.6.4 模式 4：AutoTune 动态衰减
      7. 7.3.7  消隐时间
      8. 7.3.8  电荷泵
      9. 7.3.9  线性稳压器
      10. 7.3.10 逻辑和多电平引脚图
      11. 7.3.11 保护电路
        1. 7.3.11.1 VM 欠压锁定 (UVLO)
        2. 7.3.11.2 VCP 欠压锁定 (CPUV)
        3. 7.3.11.3 过流保护 (OCP)
        4. 7.3.11.4 热关断 (TSD)
    4. 7.4 器件功能模式
  8. 8 应用和实现
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计流程
        1. 8.2.2.1 步进电机转速
        2. 8.2.2.2 电流调节
        3. 8.2.2.3 衰减模式
      3. 8.2.3 应用曲线
  9. 9 电源建议
    1. 9.1 大容量电容
  10. 10布局
    1. 10.1 布局指南
    2. 10.2 布局示例
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 术语表
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.5 电气特性

测试条件为 TA = -40 to 125°C，VVM = 8 to 37V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（VM、DVDD、AVDD）
VVM VM 工作电压 8 37 V
IVM VM 工作电源电流 ENABLE = 1，nSLEEP = 1，无电机负载 5 8 mA
IVMQ VM 休眠模式电源电流 nSLEEP = 0；TA = 25°C 20 μA
nSLEEP = 0；TA = 125°C(1) 40
tSLEEP 休眠时间 nSLEEP = 0 至休眠模式 50 200 μs
tWAKE 唤醒时间 nSLEEP = 1 至输出转换 0.85 1.5 ms
tON 开通时间 VM > UVLO 至输出转换 0.85 1.5 ms
VDVDD 内部稳压器电压 0 至 1mA 外部负载 2.9 3.3 3.6 V
VAVDD 内部稳压器电压 无外部负载 4.5 5 5.5 V
电荷泵（VCP、CPH、CPL）
VVCP VCP 工作电压 VM + 5.5 V
逻辑电平输入（STEP、DIR、ENABLE、nSLEEP、M1）
VIL 输入逻辑低电平电压 0 0.8 V
VIH 输入逻辑高电平电压 1.6 5.3 V
VHYS 输入逻辑迟滞 200 mV
IIL 输入逻辑低电平电流 VIN = 0V -1 1 μA
IIH 输入逻辑高电平电流 VIN = 5V 100 μA
RPD 下拉电阻 连接至 GND 100 kΩ
tPD(1) 传播延迟 STEP 到电流变化 1.2 μs
三电平输入（M0、TRQ）
VIL 三电平输入逻辑低电平电压 0 0.65 V
VIZ 三电平输入高阻态电压 0.95 1.1 1.25 V
VIH 三电平输入逻辑高电平电压 1.5 5.3 V
IIL 三电平输入逻辑低电平电流 VIN = 0V –90 μA
IIH 三电平输入逻辑高电平电流 VIN = 5V 155 μA
RPD 三电平下拉电阻 VIN = 高阻态，连接至 GND 65 kΩ
RPU 三电平上拉电阻 VIN = 高阻态，连接至 DVDD 130 kΩ
四电平输入 (DECAY)
VI1 四电平输入电压 1 可通过 1% 5kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 0 0.14 V
VI2 四电平输入电压 2 可通过 1% 15kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 0.24 0.46 V
VI3 四电平输入电压 3 可通过 1% 44.2kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 0.71 1.24 V
VI4 四电平输入电压 4 可通过 1% 133kΩ 电阻器连接至 GND 进行设置 2.12 5.3 V
IO 输出电流 连接至 GND 17 22 27.25 μA
控制输出 (nFAULT)
VOL 输出逻辑低电平电压 IO = 1mA，RPULLUP = 4.7kΩ 0.5 V
IOH 输出逻辑高电平泄漏电流 VO = 5V，RPULLUP = 4.7kΩ -1 1 μA
电机驱动器输出（AOUT1、AOUT2、BOUT1、BOUT2）
RDS(ON) 高侧 FET 导通电阻 VM = 24V，I = 1.4A，TA = 25°C 290 346 mΩ
RDS(ON) 低侧 FET 导通电阻 VM = 24V，I = 1.4A，TA = 25°C 260 320 mΩ
tRISE(1) 输出上升时间 100 ns
tFALL(1) 输出下降时间 100 ns
tDEAD(1) 输出死区时间 200 ns
Vd(1) 体二极管正向电压 IOUT = 0.5A 0.7 1 V
PWM 电流控制 (RREF)
ARREF RREF 跨阻增益 28.1 30 31.9 kAΩ
VRREF RREF 电压 RREF = 18 至 132kΩ 1.18 1.232 1.28 V
tOFF PWM 关断时间 20 μs
CRREF RREF 上的等效电容 10 pF
tBLANK PWM 消隐时间 IRREF = 2.0A，63% 至 100% 电流设置 1.5 µs
IRREF = 2.0A，0% 至 63% 电流设置 1
ΔITRIP 电流跳变精度 IRREF = 1.5A，10% 至 20% 电流设置，1% 基准电阻 -15% 15%
IRREF = 1.5A，20% 至 63% 电流设置，1% 基准电阻 -10% 10%
IRREF = 1.5A，71% 至 100% 电流设置，1% 基准电阻 –6.25% 6.25%
保护电路
VUVLO VM UVLO VM 下降，UVLO 报告 7 7.8 V
VM 上升，UVLO 恢复 7.2 8
VUVLO,HYS 欠压迟滞 上升至下降阈值 200 mV
VCPUV 电荷泵欠压 VCP 下降；CPUV 报告 VM + 2 V
IOCP 过流保护跳闸电流水平 流经任何 FET 的电流 3 A
tOCP(1) 过流抗尖峰时间 1.3 1.9 2.8 μs
tRETRY 过流重试时间 1 1.6 ms
TTSD(1) 热关断温度 裸片温度 TJ 150 °C
THYS(1) 热关断迟滞 裸片温度 TJ 20 °C
(1) 取决于具体的设计和特性数据