ZHCSLV1B August   2018  – August 2021 DRV8350F , DRV8353F

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较表
  6. 6 引脚配置和功能
    1.     引脚功能 - 32 引脚 DRV8350F 器件
    2.     8
    3.     引脚功能 - 40 引脚 DRV8353F 器件
    4.     10
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 SPI 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 三相智能栅极驱动器
        1. 8.3.1.1 PWM 控制模式
          1. 8.3.1.1.1 6x PWM 模式（PWM_MODE = 00b 或 MODE 引脚连接至 AGND）
          2. 8.3.1.1.2 3x PWM 模式（PWM_MODE = 01b 或 MODE 引脚通过 47kΩ 电阻器连接到 AGND）
          3. 8.3.1.1.3 1x PWM 模式（PWM_MODE = 10b 或 MODE 引脚 = 高阻态）
          4. 8.3.1.1.4 独立 PWM 模式（PWM_MODE = 11b 或 MODE 引脚连接至 DVDD）
        2. 8.3.1.2 器件接口模式
          1. 8.3.1.2.1 串行外设接口 (SPI)
          2. 8.3.1.2.2 硬件接口
        3. 8.3.1.3 栅极驱动器电压电源和输入电源配置
        4. 8.3.1.4 智能栅极驱动架构
          1. 8.3.1.4.1 IDRIVE：MOSFET 压摆率控制
          2. 8.3.1.4.2 TDRIVE：MOSFET 栅极驱动控制
          3. 8.3.1.4.3 传播延迟
          4. 8.3.1.4.4 MOSFET VDS 监视器
          5. 8.3.1.4.5 VDRAIN 感测和基准引脚
      2. 8.3.2 DVDD 线性稳压器
      3. 8.3.3 引脚图
      4. 8.3.4 低侧电流分流放大器 (DRV8353F)
        1. 8.3.4.1 双向电流感测操作
        2. 8.3.4.2 单向电流感测操作（仅限 SPI）
        3. 8.3.4.3 放大器校准模式
        4. 8.3.4.4 MOSFET VDS 感测模式（仅限 SPI）
      5. 8.3.5 栅极驱动器保护电路
        1. 8.3.5.1 VM 电源和 VDRAIN 欠压锁定 (UVLO)
        2. 8.3.5.2 VCP 电荷泵和 VGLS 稳压器欠压锁定 (GDUV)
        3. 8.3.5.3 MOSFET VDS 过流保护 (VDS_OCP)
          1. 8.3.5.3.1 VDS 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.3.2 VDS 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.3.3 VDS 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.3.4 VDS 禁用 (OCP_MODE = 11b)
        4. 8.3.5.4 VSENSE 过流保护 (SEN_OCP)
          1. 8.3.5.4.1 VSENSE 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 8.3.5.4.2 VSENSE 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 8.3.5.4.3 VSENSE 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 8.3.5.4.4 VSENSE 禁用（OCP_MODE = 11b 或 DIS_SEN = 1b）
        5. 8.3.5.5 栅极驱动器故障 (GDF)
        6. 8.3.5.6 过流软关断（软 OCP）
        7. 8.3.5.7 热警告 (OTW)
        8. 8.3.5.8 热关断 (OTSD)
        9. 8.3.5.9 故障响应表
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 栅极驱动器功能模式
        1. 8.4.1.1 睡眠模式
        2. 8.4.1.2 工作模式
        3. 8.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 ENABLE 复位脉冲）
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 SPI 通信
        1. 8.5.1.1 SPI
          1. 8.5.1.1.1 SPI 格式
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 状态寄存器
        1. 8.6.1.1 故障状态寄存器 1（地址 = 0x00h）
        2. 8.6.1.2 故障状态寄存器 2（地址 = 0x01h）
      2. 8.6.2 控制寄存器
        1. 8.6.2.1 驱动器控制寄存器（地址 = 0x02h）
        2. 8.6.2.2 栅极驱动 HS 寄存器（地址 = 0x03h）
        3. 8.6.2.3 栅极驱动 LS 寄存器（地址 = 0x04h）
        4. 8.6.2.4 OCP 控制寄存器（地址 = 0x05h）
        5. 8.6.2.5 CSA 控制寄存器（仅限 DRV8353F）（地址 = 0x06h）
        6. 8.6.2.6 驱动器配置寄存器（仅限 DRV8353F）（地址 = 0x07h）
  9. 9 应用和实现
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 主要应用
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 外部 MOSFET 支持
            1. 9.2.1.2.1.1 MOSFET 示例
          2. 9.2.1.2.2 IDRIVE 配置
            1. 9.2.1.2.2.1 IDRIVE 示例
          3. 9.2.1.2.3 VDS 过流监视器配置
            1. 9.2.1.2.3.1 VDS 过流示例
          4. 9.2.1.2.4 感测放大器双向配置 (DRV8353F)
            1. 9.2.1.2.4.1 检测放大器示例
          5. 9.2.1.2.5 单电源功率耗散
          6. 9.2.1.2.6 单电源功率耗散示例
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 备选应用
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 感测放大器单向配置
            1. 9.2.2.2.1.1 检测放大器示例
            2. 9.2.2.2.1.2 双电源功率耗散
            3. 9.2.2.2.1.3 双电源功率耗散示例
  10. 10电源相关建议
    1. 10.1 确定大容量电容的大小
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 器件命名规则
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 相关链接
    4. 12.4 接收文档更新通知
    5. 12.5 支持资源
    6. 12.6 商标
    7. 12.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 12.8 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.5 电气特性

测试条件为 TA = –40°C 至 +125°C，VVM = 9 至 75V，VVDRAIN = 9 至 100V，VVIN = 48V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
电源电压（DVDD、VCP、VGLS、VM）
IVM VM 工作电源电流 VVM = VVDRAIN = 48V，ENABLE = 3.3V，INHx/INLx = 0V 8.5 13 mA
IVDRAIN VDRAIN 工作电源电流 VVM = VVDRAIN = 48V，ENABLE = 3.3V，INHx/INLx = 0V 1.9 4 mA
ISLEEP 睡眠模式电源电流 ENABLE = 0V，VVM = VVDRAIN = 48V，TA = 25°C 20 40 µA
ENABLE = 0V，VVM = VVDRAIN = 48V，TA = 125°C 100
tRST 复位脉冲时间 ENABLE = 0V 周期以重置故障 5 40 µs
tWAKE 开通时间 VVM > VUVLO，ENABLE = 3.3V 以使输出就绪 1 ms
tSLEEP 关断时间 ENABLE = 0V 以使器件进入睡眠模式 1 ms
VDVDD DVDD 稳压器电压 IDVDD = 0 至 10mA 4.75 5 5.25 V
VVCP 以 VDRAIN 为基准的 VCP 工作电压
VVM = 15V，IVCP = 0 至 25mA 9 10.5 12 V
VVM = 12V，IVCP = 0 至 20mA 7.5 10 11.5
VVM = 10V，IVCP = 0 至 15mA 6 8 9.5
VVM = 9V，IVCP = 0 至 10mA 5.5 7.5 8.5
VVGLS 以 GND 为基准的 VGLS 工作电压
VVM = 15V，IVGLS = 0 至 25mA 13 14.5 16 V
VVM = 12V，IVGLS = 0 至 20mA 10 11.5 12.5
VVM = 10V，IVGLS = 0 至 15mA 8 9.5 10.5
VVM = 9V，IVGLS = 0 至 10mA 7 8.5 9.5
逻辑电平输入（ENABLE、INHx、INLx、nSCS、SCLK、SDI）
VIL 输入逻辑低电压 0 0.8 V
VIH 输入逻辑高电压 1.5 5.5 V
VHYS 输入逻辑迟滞 100 mV
IIL 输入逻辑低电流 VVIN = 0 V -5 5 µA
IIH 输入逻辑高电流 VVIN = 5 V 50 70 µA
RPD 下拉电阻 接地 100 kΩ
tPD 传播延迟 INHx/INLx 转换至 GHx/GLx 转换 200 ns
四电平 H/W 输入（GAIN、MODE）
VI1 输入模式 1 电压 接地 0 V
VCOMP1 四电平输入电压比较器 1 VI1 和 VI2 之间的电压比较器 1.156 1.256 1.356 V
VI2 输入模式 2 电压 47kΩ ± 5% 连接至 GND 1.9 V
VCOMP2 四电平输入电压比较器 1 VI2 和 VI3 之间的电压比较器 2.408 2.508 2.608 V
VI3 输入模式 3 电压 高阻态 3.1 V
VCOMP3 四电平输入电压比较器 3 VI3 和 VI4 之间的电压比较器 3.614 3.714 3.814 V
VI4 输入模式 4 电压 连接至 DVDD 5 V
RPU 上拉电阻 内部上拉到 DVDD 50 kΩ
RPD 下拉电阻 内部下拉接地 84 kΩ
七电平 H/W 输入（IDRIVE、VDS）
VI1 输入模式 1 电压 接地 0 V
VCOMP1 七电平电压比较器 1 VI1 和 VI2 之间的电压比较器 0.057 0.157 0.257 V
VI2 输入模式 2 电压 18kΩ ± 5% 接地 0.8 V
VCOMP2 七电平电压比较器 2 VI2 和 VI3 之间的电压比较器 1.158 1.258 1.358 V
VI3 输入模式 3 电压 75kΩ ± 5% 接地 1.7 V
VCOMP3 七电平电压比较器 3 VI3 和 VI4 之间的电压比较器 2.257 2.357 2.457 V
VI4 输入模式 4 电压 高阻态 2.5 V
VCOMP4 七电平电压比较器 4 VI4 和 VI5 之间的电压比较器 2.561 2.661 2.761 V
VI5 输入模式 5 电压 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD 3.3 V
VCOMP5 七电平电压比较器 5 VI5 和 VI6 之间的电压比较器 3.615 3.715 3.815 V
VI6 输入模式 6 电压 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD 4.2 V
VCOMP6 七电平电压比较器 6 VI6 和 VI7 之间的电压比较器 4.75 4.85 4.95 V
VI7 输入模式 7 电压 连接至 DVDD 5 V
RPU 上拉电阻 内部上拉到 DVDD 73 kΩ
RPD 下拉电阻 内部下拉接地 73 kΩ
开漏输出（nFAULT、SDO）
VOL 输出逻辑低电压 IO = 5mA 0.125 V
IOZ 输出高阻抗泄漏 VO = 5V -2 2 µA
栅极驱动器（GHx，GLx）
VGSH 以 SHx 为基准的
高侧栅极驱动电压		 VVM = 15V，IVCP = 0 至 25mA 9 10.5 12 V
VVM = 12V，IVCP = 0 至 20mA 7.5 10 11.5
VVM = 10V，IVCP = 0 至 15mA 6 8 9.5
VVM = 9V，IVCP = 0 至 10mA 5.5 7.5 8.5
VGSL 以 PGND 为基准的
低侧栅极驱动电压		 VVM = 15V，IVGLS = 0 至 25mA 9.5 11 12.5 V
VVM = 12V，IVGLS = 0 至 20mA 9 10.5 12
VVM = 10V，IVGLS = 0 至 15mA 7.5 9 10.5
VVM = 9V，IVGLS = 0 至 10mA 6.5 8 9.5
tDEAD 栅极驱动器
死区时间		 SPI 器件 DEAD_TIME = 00b 50 ns
DEAD_TIME = 01b 100
DEAD_TIME = 10b 200
DEAD_TIME = 11b 400
H/W 器件 100
tDRIVE 峰值电流
栅极驱动时间		 SPI 器件 TDRIVE = 00b 500 ns
TDRIVE = 01b 1000
TDRIVE = 10b 2000
TDRIVE = 11b 4000
H/W 器件 4000
IDRIVEP 峰值栅极
拉电流		 SPI 器件 IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0000b 50 mA
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0001b 50
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0010b 100
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0011b 150
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0100b 300
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0101b 350
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0110b 400
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 0111b 450
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1000b 550
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1001b 600
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1010b 650
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1011b 700
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1100b 850
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1101b 900
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1110b 950
IDRIVEP_HS 或 IDRIVEP_LS = 1111b 1000
H/W 器件 IDRIVE = 接地 50
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 接地 100
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 接地 150
IDRIVE = 高阻态 300
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD 450
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD 700
IDRIVE = 连接至 DVDD 1000
IDRIVEN 峰值栅极
灌电流		 SPI 器件 IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0000b 100 mA
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0001b 100
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0010b 200
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0011b 300
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0100b 600
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0101b 700
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0110b 800
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 0111b 900
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1000b 1100
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1001b 1200
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1010b 1300
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1011b 1400
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1100b 1700
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1101b 1800
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1110b 1900
IDRIVEN_HS 或 IDRIVEN_LS = 1111b 2000
H/W 器件 IDRIVE = 接地 100
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 接地 200
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 接地 300
IDRIVE = 高阻态 600
IDRIVE = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD 900
IDRIVE = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD 1400
IDRIVE = 连接至 DVDD 2000
IHOLD 栅极保持电流 tDRIVE 之后的拉电流 50 mA
tDRIVE 之后的灌电流 100
ISTRONG 栅极强下拉电流 GHx 至 SHx，GLx 至 SPx/SLx 2 A)
ROFF 栅极延迟电阻器 GHx 至 SHx，GLx 至 SPx/SLx 150 kΩ
电流分流放大器（SNx、SOx、SPx、VREF）
GCSA 放大器增益 SPI 器件 CSA_GAIN = 00b 4.85 5 5.15 V/V
CSA_GAIN = 01b 9.7 10 10.3
CSA_GAIN = 10b 19.4 20 20.6
CSA_GAIN = 11b 38.8 40 41.2
H/W 器件 GAIN = 接地 4.85 5 5.15
GAIN = 47kΩ ± 5% 接地 9.7 10 10.3
GAIN = 高阻态 19.4 20 20.6
GAIN = 连接至 DVDD 38.8 40 41.2
tSET 精度达 ±1% 的稳定时间 VO_STEP = 0.5V，GCSA = 5V/V 250 ns
VO_STEP = 0.5V，GCSA = 10V/V 500
VO_STEP = 0.5V，GVSA = 20V/V 1000
VO_STEP = 0.5V，GCSA = 40V/V 2000
VCOM 共模输入范围 –0.15 0.15 V
VDIFF 差分模式输入范围 -0.3 0.3 V
VOFF 输入失调电压误差 VSP = VSN = 0V -3 3 mV
VDRIFT 漂移失调电压 VSP = VSN = 0V 10 µV/°C
VLINEAR SOx 输出电压线性范围 0.25 VVREF – 0.25 V
VBIAS SOx 输出电压偏置 SPI 器件 VSP = VSN = 0V，VREF_DIV = 0b VVREF – 0.3 V
VSP = VSN = 0V，VREF_DIV = 1b VVREF/2
H/W 器件 VSP = VSN = 0V VVREF/2
IBIAS SPx/SNx 输入偏置电流 250 µA
VSLEW SOx 输出压摆率 60pF 负载 10 V/µs
IVREF VREF 输入电流 VVREF = 5V 1.5 2.5 mA
UGB 单位增益带宽 DRV835xF：60pF 负载 10 MHz
DRV835xFR：60pF 负载 1 MHz
保护电路
VVM_UV VM 欠压锁定 DRV835xF：VM 下降，UVLO 报告 8.0 8.3 8.8 V
DRV835xF：VM 上升，UVLO 恢复 8.2 8.5 9.0
DRV835xFR：VM 下降，UVLO 报告 8.0 8.3 8.6
DRV835xFR：VM 上升，UVLO 恢复 8.2 8.5 8.8
VVM_UVH VM 欠压迟滞 上升至下降阈值 200 mV
tVM_UVD VM 欠压抗尖峰脉冲时间 VM 下降，UVLO 报告 10 µs
VVDR_UV VDRAIN 欠压锁定 DRV835xF：VDRAIN 下降，UVLO 报告 6.1 6.4 6.8 V
DRV835xF：VDRAIN 上升，UVLO 恢复 6.3 6.6 7.0
DRV835xFR：VDRAIN 下降，UVLO 报告 6.1 6.4 6.7
DRV835xFR：VDRAIN 上升，UVLO 恢复 6.3 6.6 6.9
VVDR_UVH VDRAIN 欠压迟滞 上升至下降阈值 200 mV
tVDR_UVD VDRAIN 欠压抗尖峰脉冲时间 VDRAIN 下降，UVLO 报告 10 µs
VVCP_UV VCP 电荷泵欠压锁定 VCP 下降，GDUV 报告 VDRAIN + 5 V
VVGLS_UV VGLS 低侧稳压器欠压锁定 VGLS 下降，GDUV 报告 4.25 V
VGS_CLAMP 高侧栅极钳位 正钳位电压 12.5 13.5 16 V
负钳位电压 –0.7
VVDS_OCP VDS 过流
跳变电压		 SPI 器件 DRV835xF：VDS_LVL = 0000b 0.041 0.06 0.072 V
DRV835xF：VDS_LVL = 0001b 0.051 0.07 0.084
DRV835xF：VDS_LVL = 0010b 0.061 0.08 0.096
DRV835xF：VDS_LVL = 0011b 0.071 0.09 0.108
DRV835xF：VDS_LVL = 0100b 0.081 0.1 0.115
DRV835xFR：VDS_LVL = 0000b 0.048 0.06 0.072
DRV835xFR：VDS_LVL = 0001b 0.056 0.07 0.084
DRV835xFR：VDS_LVL = 0010b 0.064 0.08 0.096
DRV835xFR：VDS_LVL = 0011b 0.072 0.09 0.108
DRV835xFR：VDS_LVL = 0100b 0.085 0.1 0.115
VDS_LVL = 0101b 0.18 0.2 0.22
VDS_LVL = 0110b 0.27 0.3 0.33
VDS_LVL = 0111b 0.36 0.4 0.44
VDS_LVL = 1000b 0.45 0.5 0.55
VDS_LVL = 1001b 0.54 0.6 0.66
VDS_LVL = 1010b 0.63 0.7 0.77
VDS_LVL = 1011b 0.72 0.8 0.88
VDS_LVL = 1100b 0.81 0.9 0.99
VDS_LVL = 1101b 0.9 1.0 1.1
VDS_LVL = 1110b 1.35 1.5 1.65
VDS_LVL = 1111b 1.8 2 2.2
H/W 器件 DRV835xF：VDS = 接地 0.041 0.06 0.072 V
DRV835xF：VDS = 18kΩ ± 5% 接地 0.081 0.1 0.115
DRV835xFR：VDS = 接地 0.048 0.06 0.072
DRV835xFR：VDS = 18kΩ ± 5% 接地 0.085 0.1 0.115
VDS = 75kΩ ± 5% 接地 0.18 0.2 0.22
VDS = 高阻态 0.36 0.4 0.44
VDS = 75kΩ ± 5% 连接至 DVDD 0.63 0.7 0.77
VDS = 18kΩ ± 5% 连接至 DVDD 0.9 1 1.1
VDS = 连接至 DVDD 禁用
tOCP_DEG VDS 和 VSENSE 过流抗尖峰脉冲时间 SPI 器件 OCP_DEG = 00b 1 µs
OCP_DEG = 01b 2
OCP_DEG = 10b 4
OCP_DEG = 11b 8
H/W 器件 4
VSEN_OCP VSENSE 过流跳变电压 SPI 器件 SEN_LVL = 00b 0.25 V
SEN_LVL = 01b 0.5
SEN_LVL = 10b 0.75
SEN_LVL = 11b 1
H/W 器件 1
tRETRY 过流重试时间 SPI 器件 TRETRY = 0b 8 ms
TRETRY = 1b 50 μs
H/W 器件 8 ms
TOTW 热警告温度 内核温度 TJ 130 150 170 °C
TOTSD 热关断温度 内核温度 TJ 150 170 190 °C
THYS 热迟滞 内核温度 TJ 20 °C