ZHCSBP4C September   2013  – December 2016 DRV8303

PRODUCTION DATA.  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 Pin Configuration and Functions
  6. 6 Specifications
    1. 6.1 Absolute Maximum Ratings
    2. 6.2 ESD Ratings
    3. 6.3 Recommended Operating Conditions
    4. 6.4 Thermal Information
    5. 6.5 Electrical Characteristics
    6. 6.6 Current Shunt Amplifier Characteristics
    7. 6.7 SPI Characteristics (Slave Mode Only)
    8. 6.8 Gate Timing and Protection Switching Characteristics
    9. 6.9 Typical Characteristics
  7. 7 Detailed Description
    1. 7.1 Overview
    2. 7.2 Functional Block Diagram
    3. 7.3 Feature Description
      1. 7.3.1 Three-Phase Gate Driver
      2. 7.3.2 Current Shunt Amplifiers
      3. 7.3.3 Protection Features
        1. 7.3.3.1 Power Stage Protection
        2. 7.3.3.2 Overcurrent Protection (OCP) and Reporting
        3. 7.3.3.3 Undervoltage Protection (UVLO)
        4. 7.3.3.4 Overvoltage Protection (GVDD_OV)
        5. 7.3.3.5 Overtemperature Protection
        6. 7.3.3.6 Fault and Protection Handling
      4. 7.3.4 Start-Up and Shutdown Sequence Control
    4. 7.4 Device Functional Modes
      1. 7.4.1 EN_GATE
      2. 7.4.2 DTC
      3. 7.4.3 VDD_SPI
      4. 7.4.4 DC_CAL
    5. 7.5 Programming
      1. 7.5.1 SPI Communication
        1. 7.5.1.1 SPI
        2. 7.5.1.2 SPI Format
    6. 7.6 Register Maps
      1. 7.6.1 Read / Write Bit
      2. 7.6.2 Address Bits
      3. 7.6.3 SPI Data Bits
        1. 7.6.3.1 Status Registers
        2. 7.6.3.2 Control Registers
        3. 7.6.3.3 Overcurrent Adjustment
  8. 8 Application and Implementation
    1. 8.1 Application Information
      1. 8.1.1 Gate Driver Power-Up Sequencing Errata
    2. 8.2 Typical Application
      1. 8.2.1 Design Requirements
      2. 8.2.2 Detailed Design Procedure
        1. 8.2.2.1 Gate Drive Average Current Load
        2. 8.2.2.2 Overcurrent Protection Setup
        3. 8.2.2.3 Sense Amplifier Setup
      3. 8.2.3 Application Curves
  9. 9 Power Supply Recommendations
    1. 9.1 Bulk Capacitance
  10. 10Layout
    1. 10.1 Layout Guidelines
    2. 10.2 Layout Example
  11. 11器件和文档支持
    1. 11.1 文档支持
      1. 11.1.1 相关文档
    2. 11.2 接收文档更新通知
    3. 11.3 社区资源
    4. 11.4 商标
    5. 11.5 静电放电警告
    6. 11.6 Glossary
  12. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 6V 至 60V 工作电源电压范围
  • 1.7A 拉电流和 2.3A 灌电流栅极驱动电流能力
  • 具有用于降低 EMI 的转换率控制
  • 支持 100% 占空比的自举栅极驱动器
  • 6 种或 3 种脉宽调制 (PWM) 输入模式
  • 具有可调节增益和偏移的双集成电流分流放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 接口
  • 串行外设接口 (SPI)
  • DRV8303 中的 特性：
    • 可编程死区控制 (DTC)
    • 可编程过流保护 (OCP)
    • PVDD 和 GVDD 欠压锁定 (UVLO)
    • GVDD 过压锁定 (OVLO)
    • 过热警告/关断 (OTW/OTS)
    • 通过 nFAULT、nOCTW 和 SPI 寄存器进行报告

2 应用

  • 三相无刷直流 (BLDC) 电机和永磁同步电机 (PMSM)
  • CPAP 和泵
  • 电动自行车
  • 电动工具
  • 机器人和遥控 (RC) 玩具
  • 工业自动化

3 说明

DRV8303 是一款适用于三相电机驱动应用的栅极驱动器 IC。该器件提供三个半桥驱动器，每个驱动器能够驱动两个 N 通道 MOSFET。该器件最高支持 1.7A 拉电流和 2.3A 峰值电流。DRV8303 可在 6V 至 60V 的宽电源范围内，在单一电源供电下运行。它采用自举栅极驱动器架构和涓流充电电路来支持 100% 占空比。DRV8303 在切换高侧或低侧 MOSFET 时使用自动握手机制，以防止发生电流击穿。高侧和低侧 MOSFET 的集成 VDS 感测用于防止外部功率级出现过流现象。

DRV8303 具有两个针对电流进行精确测量的分流放大器。这两个放大器支持双向电流感测，可提供高达 3V 的可调节输出失调电压。

串行外设接口 (SPI) 提供详细的故障报告和灵活的参数设置，例如电流分流放大器的增益选项和栅极驱动器的转换率控制。

器件信息(1)

器件型号 封装 封装尺寸（标称值）
DRV8303 TSSOP (48) 12.50mm x 6.10mm
  1. 要了解所有可用封装，请参见数据表末尾的可订购产品附录。

简化电路原理图

DRV8303 FBD_02_SLOS846.gif