ZHCSXV1A March   2025  – August 2025 DRV8263-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
    1. 5.1 HW 型号
    2. 5.2 SPI 型号
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 电气特性
    5. 6.5 时序要求
    6. 6.6 时序图
    7. 6.7 热性能信息
      1. 6.7.1 瞬态热阻抗和电流能力
    8. 6.8 开关波形
      1. 6.8.1 输出开关瞬态
        1. 6.8.1.1 高侧再循环
      2. 6.8.2 唤醒瞬态
        1. 6.8.2.1 HW 型号
        2. 6.8.2.2 SPI 型号
      3. 6.8.3 故障反应瞬态
        1. 6.8.3.1 重试设置
        2. 6.8.3.2 锁存设置
    9. 6.9 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 外部组件
        1. 7.3.1.1 HW 型号
        2. 7.3.1.2 SPI 型号
      2. 7.3.2 电桥控制
        1. 7.3.2.1 PH/EN 模式
        2. 7.3.2.2 PWM 模式
        3. 7.3.2.3 独立模式
        4. 7.3.2.4 寄存器 - 引脚控制 - 仅限 SPI 型号
      3. 7.3.3 器件配置
        1. 7.3.3.1 压摆率 (SR)
        2. 7.3.3.2 IPROPI
        3. 7.3.3.3 ITRIP 调节
        4. 7.3.3.4 DIAG
          1. 7.3.3.4.1 HW 型号
          2. 7.3.3.4.2 SPI 型号
      4. 7.3.4 保护和诊断
        1. 7.3.4.1  过流保护 (OCP)
        2. 7.3.4.2  过热警告 (OTW) - 仅限 SPI 型号
        3. 7.3.4.3  过热保护 (TSD)
        4. 7.3.4.4  关断状态诊断 (OLP)
        5. 7.3.4.5  导通状态诊断 (OLA) - 仅限 SPI 型号
        6. 7.3.4.6  VM 过压监测器 - 仅限 SPI 型号
        7. 7.3.4.7  VM 欠压监视器
        8. 7.3.4.8  上电复位 (POR)
        9. 7.3.4.9  断电制动 (POB)
        10. 7.3.4.10 事件优先级
      5. 7.3.5 器件功能模式
        1. 7.3.5.1 休眠状态
        2. 7.3.5.2 待机状态
        3. 7.3.5.3 唤醒至待机状态
        4. 7.3.5.4 运行状态
        5. 7.3.5.5 nSLEEP 复位脉冲（HW 型号，仅限锁存设置）
      6. 7.3.6 编程 - 仅限 SPI 型号
        1. 7.3.6.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.6.2 标准帧
        3. 7.3.6.3 用于多个外设的 SPI
          1. 7.3.6.3.1 用于多个外设的菊花链帧
      7. 7.3.7 寄存器映射 - 仅限 SPI 型号
        1. 7.3.7.1 用户寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 负载概要
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 HW 型号
      2. 8.2.2 SPI 型号
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 确定大容量电容器的大小
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.4.1 布局指南

使用额定电压为 VM、推荐值为 0.1μF 的低 ESR 陶瓷旁路电容器将每个 VM 引脚旁路至接地。此类电容器尽可能靠近 VM 引脚放置，并通过较宽的布线或接地平面与器件 GND 引脚连接。

需要额外的大容量电容器来绕过高电流路径。大容量电容的放置方法可尽可能缩短大电流路径的长度。连接金属走线尽可能宽，并具有许多连接 PCB 层的过孔。这些做法可更大限度地减少电感并允许大容量电容器提供大电流。

使用推荐值为 0.1μF 的低 ESR 陶瓷 6.3V 旁路电容器将 VDD 引脚旁路至接地。