ZHCSML7B February   2020  – August 2021 DRV8210

PRODUCTION DATA  

  1. 1 特性
  2. 2 应用
  3. 3 说明
  4. 4 修订历史记录
  5. 5 器件比较
  6. 6 引脚配置和功能
  7. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 额定值
    3. 7.3 建议工作条件
    4. 7.4 热信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 典型特性 DSG 封装
    7. 7.7 典型特性 DRL 封装
  8. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 外部元件
      2. 8.3.2 控制模式
        1. 8.3.2.1 PWM 控制模式（DSG：MODE = 0 和 DRL）
        2. 8.3.2.2 PH/EN 控制模式（DSG：MODE = 1）
        3. 8.3.2.3 半桥控制模式（DSG：MODE = 高阻态）
      3. 8.3.3 保护电路
        1. 8.3.3.1 电源欠压锁定（UVLO）
        2. 8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）
        3. 8.3.3.3 热关断（TSD）
      4. 8.3.4 引脚图
        1. 8.3.4.1 逻辑电平输入
        2. 8.3.4.2 三电平输入
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 工作模式
      2. 8.4.2 低功耗睡眠模式
      3. 8.4.3 故障模式
  9. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 全桥驱动
        1. 9.2.1.1 设计要求
        2. 9.2.1.2 详细设计过程
          1. 9.2.1.2.1 电源电压
          2. 9.2.1.2.2 控制接口
          3. 9.2.1.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.1.3 应用曲线
      2. 9.2.2 半桥驱动
        1. 9.2.2.1 设计要求
        2. 9.2.2.2 详细设计过程
          1. 9.2.2.2.1 电源电压
          2. 9.2.2.2.2 控制接口
          3. 9.2.2.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.2.3 应用曲线
      3. 9.2.3 双线圈继电器驱动
        1. 9.2.3.1 设计要求
        2. 9.2.3.2 详细设计过程
          1. 9.2.3.2.1 电源电压
          2. 9.2.3.2.2 控制接口
          3. 9.2.3.2.3 低功耗运行
        3. 9.2.3.3 应用曲线
      4. 9.2.4 电流检测
        1. 9.2.4.1 设计要求
        2. 9.2.4.2 详细设计过程
          1. 9.2.4.2.1 分流电阻器大小调整
          2. 9.2.4.2.2 RC 滤波器
    3. 9.3 电流能力和热性能
      1. 9.3.1 功率耗散和输出电流能力
      2. 9.3.2 热性能
        1. 9.3.2.1 稳态热性能
        2. 9.3.2.2 瞬态热性能
  10. 10电源建议
    1. 10.1 大容量电容
  11. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  12. 12器件和文档支持
    1. 12.1 文档支持
      1. 12.1.1 相关文档
    2. 12.2 接收文档更新通知
    3. 12.3 支持资源
    4. 12.4 商标
    5. 12.5 Electrostatic Discharge Caution
    6. 12.6 术语表
  13. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

8.3.3.2 OUTx 过流保护（OCP）

即使发生了硬短路事件，每个 MOSFET 上的模拟电流限制电路也会限制器件输出的峰值电流。如果输出电流超过过流阈值 IOCP 且持续时间超过过流抗尖峰时间 tOCP，则会禁用 H 桥中的所有 MOSFET。在 tRETRY 之后，MOSFET 会根据 PH/IN1 和 EN/IN2 引脚的状态重新启用。如果过流条件仍然存在，则会重复此周期，否则器件将恢复正常运行。

在半桥控制模式下，OCP 行为略有改动。如果检测到过流事件，将只禁用相应的半桥。另一个半桥会继续正常运行。这样，器件就可以在驱动独立的负载时管理独立的故障事件。如果在两个半桥中都检测到过流事件，将同时禁用两个半桥。两个半桥共用同一个过流重试计时器。如果在 OUT1 中首先发生过流事件，则该输出将在 tRETRY 期间内禁用。如果 OUT2 在 OUT1 之后但在 tRETRY 到期之前发生过流事件，则两个 OUTx 引脚将在 tRETRY 的整个持续时间内保持禁用状态。