9 电气特性

T_J = –40°C 至 150°C，V_GVDD = 15V，EN = 高电平（除非另有说明）。在 T_A = 25°C、V_GVDD = 15V 时适用典型限值

参数		测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
GaN 功率晶体管
R_DS(ON)	GaN 晶体管导通电阻	V_GVDD = 15V、I_OUTx = 1A、T_J = 25^oC、		205	320	mΩ
R_DS(ON)	GaN 晶体管导通电阻	V_GVDD = 15V，I_OUTx= 1A，T_J= 150^oC，		370		mΩ
V_SD	第三象限模式源漏电压	INx = 0V，ISD = 0.1A，T_J = 25^oC		1.5	2.5	V
V_SD	第三象限模式源漏电压	INx = 0V，ISD = 4A，T_J = 25^oC		2.8		V
Q_RR	反向恢复电荷	V_R = 300V，I_SD = 4A，dI_SD/dt = 0.2 A/ns			0	nC
开关特性
SR	相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 设置 = 0		4		V/ns
SR	相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 设置 = 0		4		V/ns
SR	相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 设置 = 1		10		V/ns
SR	相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 设置 = 1		10		V/ns
SR	相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 设置 = 2		20		V/ns
SR	相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 设置 = 2		20		V/ns
SR	相位引脚压摆率从低切换到高（从 20% 上升到 80%）	VVM = 300V，SR 设置 = 3		40		V/ns
SR	相位引脚压摆率从高切换到低（从 80% 下降到 20%）	VVM = 300V，SR 设置 = 3		40		V/ns
t_pd,on	导通传播延迟	V_INHx、V_INLx = 逻辑低电平至高电平、V_VM = 300V、I_D = 4A、SR = 0			125	ns
t_delay,on	导通延时时间	V_INHx、V_INLx = 逻辑低电平至高电平，VVM = 300V，I_D = 4A，SR = 0		75		ns
t_pd,off	关断传播延迟	V_INHx、V_INLx = 逻辑高电平至低电平、V_VM = 300V、I_D = 4A、SR = 0			135	ns
t_delay,off	关闭延时时间	V_INHx、V_INLx = 逻辑高电平至低电平，V_VM = 300V，I_D = 4A，SR = 0		75		ns
t_DEAD	输出死区时间（高电平到低电平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流出相位节点的电流 (OUTx) SR = 0、1		40		ns
t_DEAD	输出死区时间（高电平到低电平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位节点的电流 (OUTx)、SR = 0		100		ns
t_DEAD	输出死区时间（高电平到低电平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位节点的电流 (OUTx)、SR = 1 或 2 或 3		100		ns
t_DEAD	输出死区时间（低电平到高电平）	V_VM = 300V、I_OUTx = 4A、流入相位节点的电流 (OUTx)		40		ns
t_start	启动时间	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 低电平到高电平，INLx = 1，低侧 GaNFET 导通			2	ms
t_off	器件关断时间 - 进入睡眠模式	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 从高电平到低电平	40		80	us
t_{clr_flt}	使用 EN 清除任何锁存故障的时间	EN = 低脉冲宽度	15		40	us
t_off	器件关断时间 - 栅极驱动器关断	V_GVDD >V_{GVDD_UV_ON}。EN = 高电平至低电平，INLx = 1，低侧 GaNFET 关断		80		µs
GVDD 电源
I_GVDD,Q	GVDD 工作电流，驱动器启用，无开关	EN =高电平、V_VM = 300V、INx = 0		2.3		mA
I_GVDD,3SW	GVDD 平均工作电流，驱动器启用，GaN 开关，OUTx 引脚上无负载	EN = 高电平，Fsw = 20kHz，50% 互补 PWM 时的 3 半桥开关，V_VM = 300V，VGVDD = 15V，SR = 0		3.7		mA
V_{GVDD_UV_R}	GVDD 欠压阈值 - 上升	GVDD 上升			10	V
V_{GVDD_UV_F}	GVDD 欠压阈值 - 下降。	GVDD 下降	9			V
V_{GVDD_UV_HYS}	GVDD 欠压检测磁滞	GVDD 上升至下降阈值		500		mV
t_{UVLO_GVDD}	GVDD 欠压抗尖峰脉冲时间				20	µs
自举电源
R_{DS_ BST}	自举整流器导通电阻	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V			30	Ω
I_{LMT_BST}	自举整流器电流限制	EN = 高电平，V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，INLx = 高电平，INHx = 低电平，V_BOOTx - V_OUTx = 12V	150		250	mA
I_{BST_PK}	自举整流器峰值瞬态电流	EN = 高电平，V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，INLx = 高电平，INHx = 低电平，V_BOOTx - V_OUTx = 0V		350		mA
I_{BST_Q}	自举静态电流	EN =高电平、INHx =低电平、INLx =低电平、V_GVDD = 15V、V_BOOTx - V_OUTx = 12V		100	145	µA
I_{BST_Q}	自举静态电流	EN = 高电平、INHx = 高电平、INLx = 低电平、V_GVDD = 15V、V_BOOTx - V_OUTx = 12V		350		µA
V_{BST_UV}	自举电源欠压	BOOTx 上升			9	V
V_{BST_UV}	自举电源欠压	BOOTx 下降	8			V
V_{BST_UV_HYS}	自举电源欠压迟滞			500		mV
t_{BST_UV}	自举电源欠压抗尖峰脉冲时间				20	µs
逻辑电平输入（EN、INHx、INLx、BRAKE）
V_IL	输入逻辑低电平电压	INHx、INLx、BRAKE、EN			0.8	V
V_IH	输入逻辑高电平电压	INHx、INLx、BRAKE、EN	2.2			V
V_HYS	输入逻辑迟滞	INHx、INLx、BRAKE、EN	300	450	650	mV
I_IL	输入逻辑低电平电流（INHx、INLx、BRAKE、EN）	V_I = 0V	-1		1	µA
I_IL	输入逻辑低电平电流（BRAKE、EN）	V_I = 0V	-1		1	µA
R_PD	输入下拉电阻	INHx、INLx、EN	70	100	130	kΩ
R_PD	输入下拉电阻	BRAKE	15	20	25	kΩ
t_deg	输入逻辑抗尖峰脉冲时间	INHx、INLx	25		50	ns
t_deg	输入逻辑抗尖峰脉冲时间	EN		80		µs
t_deg	输入逻辑抗尖峰脉冲时间	BRAKE	1200		2000	ns
多电平输入 (SR)
R_L1	SR 设置 = 0	连接至 GND	0		1	kΩ
R_L2	SR 设置 = 1	连接至 GVDD	0		1	kΩ
R_L3	SR 设置 = 2	R 连接至 GND（R = 5kΩ 至 15kΩ）	5		15	kΩ
R_L4	SR 设置 = 3	R 连接至 GND（R = 40kΩ 至 100kΩ）	40		100	kΩ
开漏输出 (nFAULT)
V_OL	输出逻辑低电平电压	I_OD = 5mA			0.4	V
I_OH	输出逻辑高电平电流	V_OD = 5V	-1		1	µA
C_OD	输出电容				30	pF
GaN 前置驱动器保护
I_{OCP_GaN}	低侧 GaNFET 过流检测阈值	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，T_J = 25^oC	7.5		24	A
I_{OCP_GaN}	低侧 GaNFET 过流检测阈值	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V，T_J = 125^oC	5			A
t_{OCP_GaN_BT}	消隐时间（包括抗尖峰脉冲）	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V		150		ns
t_{OCP_GaN_PD}	（FET 关断的）传播延迟	V_GVDD = 15V，V_VM = 300V		50		ns
T_{SD_RISE}	热关断上升	芯片温度 (T_J)	145	165	185	^oC
T_{SD_FALL}	热关断下降	芯片温度 (T_J)	125	145	165	^oC
T_{SD_HYST}	热关断迟滞	芯片温度 (T_J)	13	20		^oC
电流限制比较器 (ILIMIT)
I_b	输入偏置电流 (ILIMIT)	V_ILIMIT = 0.5V			1	µA
V_off	ILIMIT 比较器输入电压偏移	V_ILIMIT = 1.0V		±2.5		mV
V_{ILIMIT_DIS}	禁用 ILIMIT OCP 的最小 ILIMIT 电压		2.2		2.6	V
V_ILIMIT	ILIMIT 上的操作电压范围				2	V
t_blank	过电流检测在所有 SLx 输入端消隐，从任何 INHx/INLx 导通/关断		400		620	ns
t_deglitch	过流检测抗尖峰脉冲时间		190		330	ns
t_filter	ILIMIT 比较器输入 RC 滤波器时间 (SLx)	V_SLx = 0V 至 1V 阶跃、VILIMIT = 0.63V	250		450	ns
t_filter	ILIMIT 基准电压输入 RC 滤波时间 (ILIMIT)	V_ILIMIT= 1V 至 0V 阶跃，V_SLx= 0.37V	600	1000		ns
t_{pd_OFF}	从 ILIMIT 过流检测到所有 GaNFET 关断的传播延迟时间	V_ILIMIT= 0.63V，V_SLx= 0V 至 1V 阶跃，INx = 恒定			1.2	µs
t_{pd_FAULT}	从 ILIMIT 过流检测到 nFAULT 引脚报告的传播延迟时间	V_ILIMIT= 0.63V，V_SLx = 0V 至 1V 阶跃，INx =恒定			1	µs
运算放大器
V_LINEAR	输出电压摆幅	R_L = 10k 至 GND	0.02		4.9	V
GBW	增益带宽积	RL = 10k，G = +1，		11		MHz
V_{SR_opamp}	输出电压压摆率	RL = 10k，G=+1，		26		V/µs
t_set	精度达 ±1% 的稳定时间	2V 阶跃，G = +1，CL = 130pF，RL = 10k		0.4		µs
A_OL	开环电压增益	0.04V < VAMPOUT < 4.8V、RL = 10kΩ 至 GND		106		dB
φ_m	相位裕度	G =+1、RL = 10k		60		^o
V_COM	共模输入范围		0		5	V
V_OFF	输入失调电压误差	TA = -40°C 至 125°C		±1		mV
V_DRIFT	漂移失调电压	TA = –40°C 至 125°C		±2		µV/^oC
I_bias	输入偏置电流	V_AMPIN- = V_AMPIN+ = 2.5V		±100		nA
I_{bias_off}	输入偏置失调电流	V_AMPIN- = V_AMPIN+ = 2.5V		±10		nA
CMRR	共模抑制比	– 0.1V < VCM < 5V，TA = –40°C 至 125°C		96		dB
I_{SC_opamp}	短路电流			±20		mA
Z_o	开环输出阻抗	f = 5MHz		250		Ω
C_L	容性负载驱动				130	pF
温度传感器
V_T	温度检测元件输出 (VTEMP) 电压	TA = 25°C		1.98		V
R_T	VTEMP 引脚上的最小负载电阻	V_T 的测试条件	90			kΩ
C_T	VTEMP 引脚上的最大负载电容	V_T 的测试条件			130	pF