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ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308

PRODUCTION DATA

12.4 保护功能

DRV7308 集成了 GaN FET 过流保护 (GaN_OCP)、过热关断 (OTSD)、GVDD 和自举电源欠压保护（GVDD_UVLO 和 VBOOT_UVLO）以及电流限制 (ILIMIT)。表 12-2 总结了各种故障详细信息。

表 12-2 故障操作和响应

故障	条件	报告	GaN 桥	恢复
GaN 过流保护 (GaN_OCP)⁽¹⁾	低侧 GaNFET 电流 > I_{OCP_GaN}	nFAULT	所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位）	锁存。EN 引脚上的 20μs 至 40μs 开关脉冲或 GVDD 电源上电下电
SLx 过流限制 (ILIMIT)	V_SLx > V_ILIMIT	nFAULT	所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位）	重试⁽²⁾。在故障清除时间 > tF_CLR 后
GVDD 欠压	V_GVDD < V_{GVDD_UV}	nFAULT	所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位）	自动： V_GVDD > V_{GVDD_UVLO}
BOOT 电源欠压（BOOTx 和 OUTx 引脚之间的电压）	V_BOOTx < V_{BST_UV}	-	受影响的高侧 GaN 前置驱动器关断。所有其他 GaNFET 继续运行。	自动： V_BOOTx > V_{BST_UV}
热关断 (OTSD)	T_J > T_SD，适用于任何低侧 GaNFET	nFAULT	所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位）	自动 T_J < T_SD
热关断 (OTSD)	T_J > T_SD，适用于任何高侧 GaNFET	nFAULT	所有 GaN 前置驱动器关断，从而出现高阻态（全部三个相位）	锁存。EN 引脚上的 20μs 至 40μs 开关脉冲或 GVDD 电源上电下电

(1) 仅对低侧 GaNFET 进行过流检测。

(2) PWM 输入（INHx、INLx）必须在 nFAULT 出现下降沿之前为低电平。

注： GaN 过流保护（GaN OCP）适用于低侧 GaNFET。

警告：如果在 nFAULT 出现下降沿之前 PWM 输入（INHx、INLx）为低电平，则 SL 过流限制 (ILIMIT) 的恢复条件有效。