ZHCSOZ5A May   2024  – October 2025 DRV7308

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 绝对最大额定值
  7. 6 ESD 等级
  8. 7 建议运行条件
  9. 8 热性能信息
  10. 9 电气特性
  11. 10时序图
  12. 11典型特性
  13. 12详细说明
    1. 12.1 概述
    2. 12.2 功能方框图
    3. 12.3 特性说明
      1. 12.3.1 输出级
      2. 12.3.2 输入控制逻辑
      3. 12.3.3 使能 (EN) 引脚功能
      4. 12.3.4 温度传感器输出 (VTEMP)
      5. 12.3.5 制动功能
      6. 12.3.6 压摆率控制 (SR)
      7. 12.3.7 死区时间
      8. 12.3.8 电流限制功能 (ILIMIT)
      9. 12.3.9 引脚图
        1. 12.3.9.1 四电平输入引脚
        2. 12.3.9.2 开漏引脚
        3. 12.3.9.3 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
    4. 12.4 保护功能
      1. 12.4.1 GVDD 欠压锁定
      2. 12.4.2 自举欠压锁定
      3. 12.4.3 电流限制保护
      4. 12.4.4 GaNFET 过流保护
      5. 12.4.5 热关断 (OTS)
  14. 13应用和实施
    1. 13.1 应用信息
    2. 13.2 典型应用
      1. 13.2.1 应用
        1. 13.2.1.1 应用信息
      2. 13.2.2 应用曲线
  15. 14布局
    1. 14.1 布局指南
    2. 14.2 布局示例
  16. 15修订历史记录
  17. 16器件和文档支持
    1. 16.1 文档支持
      1. 16.1.1 相关文档
    2. 16.2 接收文档更新通知
    3. 16.3 支持资源
    4. 16.4 商标
    5. 16.5 静电放电警告
    6. 16.6 术语表
  18. 17机械、封装和可订购信息
    1. 17.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 具有集成 650V 增强模式 GaNFET 的三相 PWM 电机驱动器
  • 高达 450V 的工作电压
    • 650V 绝对最大电压
  • 高输出电流能力：5A 峰值电流
  • 低导通损耗：每个 GaN FET 具有低导通状态电阻：TA = 25°C 时，RDS(ON) 为 205mΩ
  • 低开关损耗：零反向恢复、低输出电容、压摆率控制
  • 低失真：< 135ns 的超低传播延迟，< 200ns 的超低自适应死区时间
  • 具有相位节点电压压摆率控制功能的集成式栅极驱动器
    • 5V/ns 至 40V/ns 压摆率选项
  • 集成式快速自举 GaN 整流器
  • 低侧 GaN FET 开源引脚，支持 1、2 或 3 分流器电流检测
  • 支持高达 100kHz 硬开关
  • 集成用于电流检测的放大器
  • 支持 3.3V 和 5V 逻辑输入（高达 20V）
  • BRAKE 引脚，可一起导通所有低侧 GaNFET
  • 集成温度传感器
  • 电机相位 (OUTx) 与相邻引脚的间隙大于 1.6mm。
  • VM 和 GND 之间的间隙为 2mm
  • 集成式保护功能
    • GVDD 和自举欠压锁定
    • 低侧 GaNFET 的过流保护
    • 过热保护
    • PWM 自适应死区时间插入
    • 对全部三个相位进行电流限制保护
    • 故障条件指示引脚 (nFAULT)