ZHCSOZ5A May 2024 – October 2025 DRV7308
PRODUCTION DATA
| 引脚 | 类型(1) | 说明 | |
|---|---|---|---|
| 名称 | 编号 | ||
| AMPIN- | 5 | I | 运算放大器的反相输入 |
| AMPIN+ | 6 | I | 运算放大器的同相输入 |
| AMPOUT | 4 | O | 运算放大器的输出端子 |
| BOOTA | 48 | P | A 相自举电源;必须在 BOOTA 和 OUTA 之间放置一个 GVDD 额定电容器。 |
| BOOTB | 43 | P | B 相自举电源;必须在 BOOTB 和 OUTB 之间放置一个 GVDD 额定电容器。 |
| BOOTC | 41 | P | C 相自举电源;必须在 BOOTC 和 OUTC 之间放置一个 GVDD 额定电容器。 |
| BRAKE | 25 | I | 电机制动信号。该引脚的逻辑高电平会导通所有低侧 GaNFET 并关断所有高侧 GaNFET |
| EN | 64 | I | 驱动器使能引脚。当此引脚为逻辑低电平时,器件进入关断模式,关断所有 GaN FET。可以使用一个 20µs 至 40µs 的低电平脉冲来复位故障条件 |
| nFAULT | 26 | O | 故障指示引脚。故障状态下拉至逻辑低电平;开漏输出需要外部上拉电阻 |
| ILIMIT | 2 | I | 内部过流限制比较器的参考电压 |
| INHA | 18 | I | OUTA 的高侧驱动器控制输入。该引脚控制高侧 GaNFET 的输出 |
| INHB | 20 | I | OUTB 的高侧驱动器控制输入。该引脚控制高侧 GaNFET 的输出 |
| INHC | 22 | I | OUTC 的高侧驱动器控制输入。该引脚控制高侧 GaNFET 的输出 |
| INLA | 19 | I | OUTA 的低侧驱动器控制输入。该引脚控制低侧 GaNFET 的输出 |
| INLB | 21 | I | OUTB 的低侧驱动器控制输入。该引脚控制低侧 GaNFET 的输出 |
| INLC | 24 | I | OUTC 的低侧驱动器控制输入。该引脚控制低侧 GaNFET 的输出 |
| NC | 1、23 | 无连接,可连接至 GND | |
| RSVD_A | 49 | I | 保留的引脚。将该引脚连接到 OUTA |
| RSVD_B | 44 | I | 保留的引脚。将该引脚连接到 OUTB |
| RSVD_C | 40 | I | 保留的引脚。将该引脚连接到 OUTC |
| OUTA | 50-57 | P | 半桥输出 A |
| OUTB | 42、45-47、72 | P | 半桥输出 B |
| OUTC | 32-39 | P | 半桥输出 C |
| GND | 7、17、27、28、29、60、61、62、66、70、71 | G | 器件电源和信号接地。连接到系统地 |
| SLA | 8、9、10、67 | P | A 相半桥低侧源 |
| SLB | 11、12、13、68 | P | B 相半桥低侧源 |
| SLC | 14、15、16、69 | P | C 相半桥低侧源 |
| SR | 65 | I | OUTx 电压压摆率控制。在 SR 引脚与 GND 之间或 SR 引脚至 GVDD 连接一个电阻器来配置压摆率 |
| GVDD | 63 | P | 低压电源通过一个 1µF GVDD 额定陶瓷电容器和一个额定电压为 GVDD 的大容量电容器旁路至 GND |
| VM | 30、31、58、59 | P | 电源。连接到电机电源电压;通过一个 0.1μF 电容器和一个额定电压为 VM 的大容量电容器旁路到 GND。引脚 30 和 31 在内部连接到引脚 58 和 59。 |
| VTEMP | 3 | O | 温度传感器输出 |