ZHCSOZ5A May   2024  – October 2025 DRV7308

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 绝对最大额定值
  7. 6 ESD 等级
  8. 7 建议运行条件
  9. 8 热性能信息
  10. 9 电气特性
  11. 10时序图
  12. 11典型特性
  13. 12详细说明
    1. 12.1 概述
    2. 12.2 功能方框图
    3. 12.3 特性说明
      1. 12.3.1 输出级
      2. 12.3.2 输入控制逻辑
      3. 12.3.3 使能 (EN) 引脚功能
      4. 12.3.4 温度传感器输出 (VTEMP)
      5. 12.3.5 制动功能
      6. 12.3.6 压摆率控制 (SR)
      7. 12.3.7 死区时间
      8. 12.3.8 电流限制功能 (ILIMIT)
      9. 12.3.9 引脚图
        1. 12.3.9.1 四电平输入引脚
        2. 12.3.9.2 开漏引脚
        3. 12.3.9.3 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
    4. 12.4 保护功能
      1. 12.4.1 GVDD 欠压锁定
      2. 12.4.2 自举欠压锁定
      3. 12.4.3 电流限制保护
      4. 12.4.4 GaNFET 过流保护
      5. 12.4.5 热关断 (OTS)
  14. 13应用和实施
    1. 13.1 应用信息
    2. 13.2 典型应用
      1. 13.2.1 应用
        1. 13.2.1.1 应用信息
      2. 13.2.2 应用曲线
  15. 14布局
    1. 14.1 布局指南
    2. 14.2 布局示例
  16. 15修订历史记录
  17. 16器件和文档支持
    1. 16.1 文档支持
      1. 16.1.1 相关文档
    2. 16.2 接收文档更新通知
    3. 16.3 支持资源
    4. 16.4 商标
    5. 16.5 静电放电警告
    6. 16.6 术语表
  18. 17机械、封装和可订购信息
    1. 17.1 卷带包装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

12.4.5 热关断 (OTS)

如果 GaNFET 附近的芯片温度超过热关断限值 (TOTSD) 的触发点，则会禁用所有 GaNFET 并将 nFAULT 引脚驱动至低电平。如果因高侧 GaNFET 温度上升而检测到 OTSD 事件，那么当清除过热条件并通过 EN 引脚上的 20μs 至 40μs 开关脉冲或通过 GVDD 电源上电下电来清除故障后，器件将再次开始正常运行（驱动器运行且释放 nFAULT 引脚）。如果因低侧 GaNFET 温度上升而检测到 OTSD 事件，则会在过热条件清除后重新开始正常运行。