ZHDS315 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

ZHDS315 July 2026 DLPC8545 , DLPC8555

PRODUCTION DATA

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)

AMD|484
- MPBC006E

散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)

订购信息

zhds315_oa

5.3 建议运行条件

参数		最小值	典型值	最大值	单位
电源电压
VDD_CORE	0.8V（标称值），用于内核逻辑	0.76	0.8	0.84	V
VDDAR_CORE	SRAM 内核（0.8V 标称值）	0.76	0.8	0.84	V
VDDS18_LVCMOS1	1.8V（标称值）固定 IO 电源，左侧	1.647	1.8	1.953	V
VDDS18_LVCMOS2	1.8V（标称值）固定 IO 电源，右侧	1.647	1.8	1.953	V
VDDA_CORE_DSI	0.8V（标称值），用于 DSI	0.76	0.8	0.84	V
VDDA18_DSI	1.8V（标称值），用于 DSI	1.647	1.8	1.953	V
VDDA_CORE_FPD	0.8V（标称值）固定电源，用于 FPD 内核	0.76	0.8	0.84	V
VDDA18_FPD	1.8V（标称值）固定电源，用于 FPD I/O	1.647	1.8	1.953	V
VDDA_CORE_Vx1	0.8V（标称值）固定电源，用于 Vx1 内核	0.76	0.8	0.84	V
VDDA18_Vx1	1.8V（标称值）固定电源，用于 Vx1I/O	1.647	1.8	1.953	V
VDDA_CORE_USB	0.8V（标称值），用于 USB 控制器	0.76	0.8	0.84	V
VDDA18_USB	1.8V（标称值），用于 USB Phy	1.647	1.8	1.953	V
VDDA33_USB	3.3V（标称值），用于 USB Phy	3.02	3.3	3.52	V
VDDSHV_INTF	1.8V 或 3.3V（标称值）多电压 IO 电源，用于 SPI 和 I²C I/O（包括 GPIO[8:0]），支持 PAD1000 代替 PMIC I/O。也称为 HOST_IRQ。	1.647	1.8	1.953	V
VDDSHV_INTF	3.3V 工作电压	3.02	3.3	3.52	V
VDDSHV_FLSH	1.8V 或 3.3V（标称值）多电压 IO 电源，用于四通道串行闪存接口	1.647	1.8	1.953	V
VDDSHV_FLSH	3.3V 工作电压	3.02	3.3	3.52	V
VDDA18_DDI	1.8V（标称值）固定 IO 电源，用于 SubLVDS DMD 接口	1.647	1.8	1.953	V
VDDS18_OSC	1.8V（标称值）固定电源，用于基准振荡器 I/O	1.647	1.8	1.953	V
VDDA18_PLLM	1.8V（标称值），用于主 I/F PLL	1.647	1.8	1.953	V
VDDA18_PLLD	1.8V（标称值），用于 DMD I/F PLL	1.647	1.8	1.953	V
通用
T_J	工作结温	-30		115	°C
T_C	工作外壳温度	-30		94	°C
T_A	工作环境温度⁽¹⁾⁽²⁾	-30		85	°C

(1) 工作环境温度范围值是根据电路板设计参数（而不是使用 JEDEC JESD51 标准测试卡和环境）以及整个工艺、电压和温度范围内的最小和最大估算功率耗散确定的。影响 R_θJA 的环境热条件件因应用而异。因此，最高工作环境温度因应用而异。T_{a_min} = T_{j_min} – (P_{d_min} x R_θJA) = 0°C – (host_min_valueW x host_value°C/W) = – host_value°C/W) = -host_calculated_value°C. T_{a_max} = T_{j_max} – (P_{d_max} x R_θJA) = +115°C – (host_max_valueW x host_value°C/W) = +host_calculated_value°C

(2) 工作环境温度取决于系统热设计。在整个环境温度条件下，工作外壳温度不能超过其额定范围。