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ZHCSYN9 July 2025 DLP473TE

PRODUCTION DATA

5.6 电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）⁽¹⁾

参数⁽⁷⁾		测试条件⁽²⁾	最小值	典型值	最大值	单位
电流
I_DD	电源电流： V_DD⁽³⁾⁽⁴⁾	典型值		70		mA
I_DDI	电源电流： V_DDI⁽³⁾⁽⁴⁾	典型值		28		mA
I_OFFSET	电源电流： V_OFFSET⁽⁵⁾⁽⁶⁾	典型值		7		mA
I_BIAS	电源电流： V_BIAS⁽⁵⁾⁽⁶⁾	典型值		1.5		mA
I_RESET	电源电流：V_RESET⁽⁶⁾	典型值		3		mA
POWER
P_DD	电源功率耗散：V_DD⁽³⁾⁽⁴⁾	典型值		126		mW
P_DDI	电源功率耗散：V_DDI⁽³⁾⁽⁴⁾	典型值		51		mW
P_OFFSET	电源功率耗散：V_OFFSET⁽⁵⁾⁽⁶⁾	典型值		70		mW
P_BIAS	电源功率耗散：V_BIAS⁽⁵⁾⁽⁶⁾	典型值		27		mW
P_RESET	电源功率耗散： V_RESET⁽⁶⁾	典型值		42		mW
P_TOTAL	电源功率耗散总计	典型值		316		mW
LPSDR 输入
V_IH	高电平输入电压⁽⁸⁾⁽⁹⁾		0.7 × V_DD		V_DD + 0.3	x VDD
V_IL	低电平输入电压⁽⁸⁾⁽⁹⁾		-0.3		0.3 x V_DD	x VDD
V_IH(AC)	交流输入高电压⁽⁸⁾⁽⁹⁾		0.8 × V_DD		V_DD + 0.3	x VDD
V_IL(AC)	交流输入低电压⁽⁸⁾⁽⁹⁾		-0.3		0.2 × V_DD	x VDD
VHyst	输入磁滞 (V_T+ – V_T–)		0.1 × V_DD		0.4 × V_DD	V
I_IL	低电平输入电流	V_DD = 1.95 V，V_I = 0V	-100			nA
I_IH	高电平输入电流	V_DD = 1.95 V，V_I = 1.95V			135	uA
LPSDR 输出
V_OH	直流输出高电压⁽¹⁰⁾	I_OH = -2mA	0.8 × V_DD			X VDD
V_OL	直流输出低电压⁽¹⁰⁾	I_OL = 2mA			0.2 × V_DD	X VDD
电容
C_IN	输入电容 LVCMOS	F = 1MHz			10	pF
C_IN	输入电容 SubLVDS	F = 1MHz			20	pF
C_OUT	输出电容	F = 1MHz			10	pF

(1) 节 5.4 下的器件电气特性（除非另有说明）。

(2) 所有电压值均以接地引脚 (V_SS) 为基准。

(3) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_DDI – V_DD | 必须小于指定的限值。

(4) 基于非压缩命令和数据的电源功率耗散。

(5) 为了防止电流过大，电源电压差值 | V_BIAS – V_OFFSET | 必须小于指定的限值。

(6) 200µs 内基于三次全局复位的电源功率耗散。

(7) 运行 DMD 需要连接以下所有电源：V_DD、V_DDI、V_OFFSET、V_BIAS、V_RESET。同时还需要所有的 V_SS 连接。

(8) LPSDR 规格适用于引脚 LS_CLK 和 LS_WDATA。

(9) 低速接口是 LPSDR，遵循 JEDEC 标准第 209B 号“低功耗双倍数据速率 (LPDDR)”JESD209B 中的“电气特性和交流/直流工作条件”表中的标准。

(10) LPSDR 输出规格针对引脚 LS_RDATA_A、LS_RDATA_B、LS_RDATA_C、LS_RDATA_D。