ZHCSSF5C June   2023  – February 2025 BQ25622E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 上电复位 (POR)
      2. 8.3.2 通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3 通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 ILIM 引脚
        4. 8.3.3.4 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        5. 8.3.3.5 转换器上电
      4. 8.3.4 电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5 电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 JEITA 充电率调节
          4. 8.3.5.4.4 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6 用于监测的集成 12 位 ADC
      7. 8.3.7 状态输出（ PG、STAT、INT）
        1. 8.3.7.1 PG 引脚电源正常状态指示器
        2. 8.3.7.2 中断和状态、标志和屏蔽位
        3. 8.3.7.3 充电状态指示灯 (STAT)
        4. 8.3.7.4 主机中断 (INT)
      8. 8.3.8 BATFET 控制
        1. 8.3.8.1 关断模式
        2. 8.3.8.2 运输模式
        3. 8.3.8.3 系统电源复位
      9. 8.3.9 保护功能
        1. 8.3.9.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.9.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.9.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.9.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.9.2.1 输入过压
          2. 8.3.9.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.9.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.9.2.4 系统短路
          5. 8.3.9.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.9.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
        3. 8.3.9.3 热调节和热关断
          1. 8.3.9.3.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.9.3.2 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25622E 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RYK|18
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.7 典型特性

CVBUS = 1µF，CPMID = 10µF，CSYS = 20µF，CBAT = 1µF，L = 1µH（除非另有说明）

BQ25622E 充电效率与充电电流间的关系
VBAT = 3.8V DCR = 15mΩ
图 7-1 充电效率与充电电流间的关系
BQ25622E 充电电流精度与 ICHG 设置间的关系
VBUS = 5V
图 7-3 充电电流精度与 ICHG 设置间的关系
BQ25622E SYSMIN 和充电完成后的系统负载调节
VBUS = 12V
图 7-5 SYSMIN 和充电完成后的系统负载调节
BQ25622E 系统轻负载效率与系统电流间的关系
VSYSMIN = 3.52V DCR = 15mΩ
图 7-2 系统轻负载效率与系统电流间的关系
BQ25622E 充电电压精度与 VREG 设置间的关系
图 7-4 充电电压精度与 VREG 设置间的关系
BQ25622E 输入电流调节精度与 IINDPM 设置间的关系
VBUS = 5V
图 7-6 输入电流调节精度与 IINDPM 设置间的关系