ZHCSSF5C June   2023  – February 2025 BQ25622E

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 说明（续）
  6. 5 器件比较
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 时序要求
    7. 7.7 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1 上电复位 (POR)
      2. 8.3.2 通过电池实现器件上电
      3. 8.3.3 通过输入源实现器件上电
        1. 8.3.3.1 REGN LDO 上电
        2. 8.3.3.2 不良源鉴定
        3. 8.3.3.3 ILIM 引脚
        4. 8.3.3.4 输入电压限制阈值设置（VINDPM 阈值）
        5. 8.3.3.5 转换器上电
      4. 8.3.4 电源路径管理
        1. 8.3.4.1 窄 VDC 架构
        2. 8.3.4.2 动态电源管理
        3. 8.3.4.3 高阻抗模式
      5. 8.3.5 电池充电管理
        1. 8.3.5.1 自主充电周期
        2. 8.3.5.2 电池充电曲线
        3. 8.3.5.3 充电终止
        4. 8.3.5.4 热敏电阻认证
          1. 8.3.5.4.1 充电模式下的高级温度曲线
          2. 8.3.5.4.2 TS 引脚热敏电阻配置
          3. 8.3.5.4.3 JEITA 充电率调节
          4. 8.3.5.4.4 TS_BIAS 引脚
        5. 8.3.5.5 充电安全计时器
      6. 8.3.6 用于监测的集成 12 位 ADC
      7. 8.3.7 状态输出（ PG、STAT、INT）
        1. 8.3.7.1 PG 引脚电源正常状态指示器
        2. 8.3.7.2 中断和状态、标志和屏蔽位
        3. 8.3.7.3 充电状态指示灯 (STAT)
        4. 8.3.7.4 主机中断 (INT)
      8. 8.3.8 BATFET 控制
        1. 8.3.8.1 关断模式
        2. 8.3.8.2 运输模式
        3. 8.3.8.3 系统电源复位
      9. 8.3.9 保护功能
        1. 8.3.9.1 仅电池模式和 HIZ 模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.9.1.1 电池欠压锁定
          2. 8.3.9.1.2 电池过流保护
        2. 8.3.9.2 降压模式下的电压和电流监测
          1. 8.3.9.2.1 输入过压
          2. 8.3.9.2.2 系统过压保护 (SYSOVP)
          3. 8.3.9.2.3 正向转换器逐周期电流限制
          4. 8.3.9.2.4 系统短路
          5. 8.3.9.2.5 电池过压保护 (BATOVP)
          6. 8.3.9.2.6 睡眠比较器和不良源比较器
        3. 8.3.9.3 热调节和热关断
          1. 8.3.9.3.1 降压模式下的过热保护
          2. 8.3.9.3.2 仅电池模式下的过热保护
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 主机模式和默认模式
      2. 8.4.2 复位寄存器位
    5. 8.5 编程
      1. 8.5.1 串行接口
        1. 8.5.1.1 数据有效性
        2. 8.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 8.5.1.3 字节格式
        4. 8.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 8.5.1.5 目标地址和数据方向位
        6. 8.5.1.6 单独写入和读取
        7. 8.5.1.7 多个写入和多个读取
    6. 8.6 寄存器映射
      1. 8.6.1 寄存器编程
      2. 8.6.2 BQ25622E 寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 电感器选型
        2. 9.2.2.2 输入电容器
        3. 9.2.2.3 输出电容器
      3. 9.2.3 应用曲线
  11. 10电源相关建议
  12. 11布局
    1. 11.1 布局指南
    2. 11.2 布局示例
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件支持
      1. 12.1.1 第三方产品免责声明
    2. 12.2 文档支持
      1. 12.2.1 相关文档
    3. 12.3 接收文档更新通知
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13修订历史记录
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RYK|18
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

13 修订历史记录

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (February 2024)to RevisionC (February 2025)

  • 删除了 1.5A 和 3A IBAT_PK 设置Go
  • 更改了 TADC_CONV 典型值Go
  • 从节 8.3.5.3中删除了“转换器处于恒定电压调节状态”Go
  • 更改了节 8.3.5.4.2 中 RT1 和 RT2 的建议值Go
  • 在节 8.3.6中更新了中 HIZ 模式下 ADC 行为的说明Go
  • 在节 8.3.8.1中更新了对 BATFET_DLY 时序的引用Go
  • 已在节 8.3.9.2.1中将“VBUS_OVP_STAT”更改为“VBUS_FAULT_STAT”Go
  • 在节 8.5.1中更新了与 I2C 通信相关的等待时间Go
  • 在寄存器映射中删除了 IBAT_PK 1.5A 和3A 设置Go
  • 在寄存器映射中添加了“注释”列Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (January 2024)to RevisionB (February 2024)

  • 添加了 IEC 62368-1 CB 认证Go
  • 更改了 TTOP_OFF 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TSAFETY_TRKCHG 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TSAFETY_PRECHG 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TSAFETY 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TBATFET_DLY 典型值Go
  • 更改了 TSM_EXIT 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TQON_RST 典型值和最大限值Go
  • 更改了 TBATFET_RST 典型值Go
  • 更改了 TLP_WDT 典型值Go
  • 更改了 TWDT 典型值Go
  • 在节 8.5.1中添加了快速模式和快速+ 模式的 I2C 时序要求Go
  • 更改了 Charge_Control_0 寄存器说明中的 TOPOFF_TMR 值、Charge_Timer_Control 寄存器说明中的 PRECHG_TMR 和 CHG_TMR 值，以及 Charger_Control_1 寄存器说明中的 WATCHDOG 值Go
  • 更新了 IBAT_ADC 寄存器说明中 IBAT_ADC 的行为Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (July 2023)to RevisionA (January 2024)

  • 将 QON 引脚说明中的 tRST 更改为 tQON_RST Go
  • 添加了 PG 引脚说明Go
  • 为 VPOORSRC 添加了最大限值Go
  • 将 IBAT_ADC LSB 从 2mA 更改为 4mAGo
  • 删除了 tVBUS_OVP_PROP、TPOORSRC_RETRY、tPOORSRC_RESTART、tVBUS_PD、tTERM_DGL、tRECHG_DGL 的典型规格Go
  • 阐明了 TTOP_OFF 规格的寄存器条件Go
  • 向 TS 引脚热敏电阻配置中添加了图 8-3 Go
  • 更新了节 8.3.9.1.2 中的电池过流保护行为Go
  • 删除了节 8.3.9.2.1中的无效引用，使之更加清晰Go
  • 删除了节 8.3.9.2.2中的无效引用，使之更加清晰Go
  • 删除了节 8.3.9.2.4中的无效引用，使之更加清晰Go
  • 删除了节 8.3.9.2.5中的无效引用，使之更加清晰Go
  • 删除了节 8.3.9.2.6中的无效引用，使之更加清晰Go
  • 在节 8.5.1中添加了 I2C 地址Go
  • 将 REG0x02_Charge_Current_Limit 寄存器的寄存器字段和说明中的位 5 更改为“保留”，“ICHG 复位”从 X 更改为 Dh，POR 从 1Ah 更改为 Dh，范围从 2h-4Ch 更改为 1h-26h，位步长从 2h 更改为 1hGo
  • 将 REG0x10_Pre-charge_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 3 更改为“保留”，“IPRECHG 复位”从 0xA 更改为 5h，POR 从 Ah 更改为 5h，范围从 2h-3Eh 更改为 1h-1Fh，位步长从 2h 更改为 1hGo
  • 将 REG0x12_Termination_Control 寄存器的寄存器字段和说明中的位 2 更改为“保留”，“ITERM 复位”从 0xC 更改为 6h，POR 从 Ch 更改为 6h，范围从 2h-7Ch 更改为 1h-3Eh，位步长从 2h 更改为 1hGo
  • 将 REG0x2C_VBUS_ADC 寄存器字段说明中的 VBUS_ADC 范围最大值从 111B6h 更改为 11B6hGo