ZHCSMW5 February   2021 BQ25303J

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 说明（续）
  7. 6 器件比较表
  8. 7 引脚配置和功能
  9. 8 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 9 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能方框图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1 器件上电
        1. 9.3.1.1 上电复位 (POR)
        2. 9.3.1.2 REGN 稳压器上电
        3. 9.3.1.3 充电器上电
        4. 9.3.1.4 通过 EN 引脚启用和禁用充电器
        5. 9.3.1.5 从输入源拔出器件
      2. 9.3.2 电池充电管理
        1. 9.3.2.1 电池充电曲线
        2. 9.3.2.2 预充电
        3. 9.3.2.3 充电终止
        4. 9.3.2.4 电池再充电
        5. 9.3.2.5 充电安全计时器
        6. 9.3.2.6 热敏电阻温度监测
      3. 9.3.3 充电状态指示灯 (STAT)
      4. 9.3.4 保护功能
        1. 9.3.4.1 电压和电流监测
          1. 9.3.4.1.1 输入过压保护
          2. 9.3.4.1.2 输入电压动态电源管理 (VINDPM)
          3. 9.3.4.1.3 输入电流限制
          4. 9.3.4.1.4 逐周期电流限制
        2. 9.3.4.2 热调节和热关断
        3. 9.3.4.3 电池保护
          1. 9.3.4.3.1 电池过压保护 (VBAT_OVP)
          2. 9.3.4.3.2 电池短路保护
        4. 9.3.4.4 ICHG 引脚开路和短路保护
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 禁用模式、HiZ 模式、睡眠模式、充电模式、终止模式和故障模式
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 典型应用
        1. 10.2.1.1 设计要求
        2. 10.2.1.2 详细设计过程
          1. 10.2.1.2.1 充电电压设置
          2. 10.2.1.2.2 充电电流设置
          3. 10.2.1.2.3 电感器选型
          4. 10.2.1.2.4 输入电容器
          5. 10.2.1.2.5 输出电容器
        3. 10.2.1.3 应用曲线
      2. 10.2.2 外部电源路径典型应用
        1. 10.2.2.1 设计要求
        2. 10.2.2.2 详细设计过程
        3. 10.2.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 接收文档更新通知
    3. 13.3 支持资源
    4. 13.4 商标
    5. 13.5 静电放电警告
    6. 13.6 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7 引脚配置和功能

BQ25303J RTE 封装 16 引脚 WQFN 顶视图图 7-1 RTE 封装 16 引脚 WQFN 顶视图
表 7-1 引脚功能
引脚 I/O(1) 说明
名称 编号
VBUS 1 P 充电器输入电压。内部 N 沟道反向阻断 MOSFET (RBFET) 连接在 VBUS 和 PMID 之间，同时 VBUS 位于源极。在 VBUS 和 GND 之间放置一个 2.2uF 陶瓷电容器，使之尽可能靠近 IC。
PMID 16 P 连接至反向阻断 MOSFET (RBFET) 的漏极和高侧 MOSFET (HSFET) 的漏极。在 PMID 至 GND 之间放置陶瓷 10μF 电容器，使之尽可能靠近 IC。
SW 13、14 P 开关节点。连接至输出电感器。在内部，SW 连接至 N 沟道 HSFET 的源极和 N 沟道 LSFET 的漏极。在 SW 和 BTST 之间连接 0.047μF 自举电容器。
BTST 15 P 高侧 FET 驱动器电源。在内部，BTST 连接至内部自举二极管的阴极。在 SW 和 BTST 之间连接 0.047μF 自举电容器。
GND 11、12 P 接地。直接连接至顶层的散热焊盘。建议在电源地和 IC GND 引脚附近的模拟地之间进行单点连接。
REGN 2 P 低侧 FET 驱动器正电源输出。在 REGN 和 GND 之间连接一个 2.2μF 陶瓷电容器。电容器应靠近 IC 放置。
BAT 10 AI 电池电压检测输入。将该引脚连接至电池包的正极端子和电感器输出端子的节点。建议将 10µF 电容器连接至此引脚。
TS 7 AI 电池温度电压输入。连接一个负温度系数热敏电阻 (NTC)。使用 REGN 和 TS 以及 TS 和 GND 之间的电阻分压器设置温度窗口。当 TS 引脚电压超出范围时，充电暂停。不使用 TS 引脚时，在 REGN 和 TS 之间连接一个 10kΩ 电阻器，并且在 TS 和 GND 之间连接一个 10kΩ 电阻器。建议使用 103AT-2 热敏电阻。
ICHG 4 AI 充电电流程序输入。在该引脚和接地之间连接一个 1% 电阻器 RICHG，以便将充电电流编程为 ICHG = KICHG / RICHG (KICHG = 40,000)。该引脚上不允许连接任何电容器。当 ICHG 引脚被拉至接地或保持开路时，充电器会停止开关且 STAT 引脚开始闪烁。
STAT 3 AO 充电状态指示输出。该引脚是开漏输出。通过限流电阻器和 LED 将该引脚连接至 REGN。STAT 引脚指示充电器状态如下：
  • 正在进行充电：STAT 引脚被拉低
  • 充电完成，通过 EN 禁用充电：STAT 引脚开路
  • 故障状况：STAT 引脚闪烁。
VSET 9 AI 充电电压设定输入。VSET 引脚可设置电池充电电压。使用从 VSET 到 GND 的电阻器下拉，进行电池稳压电压编程：
  • 悬空 (R > 200kΩ±10%)：4.1V
  • 短接至 GND (R < 510Ω)：4.2V
  • R = 51kΩ ± 10%：4.35V
  • R = 10kΩ ± 10%：4.4V
此引脚上的最大允许电容为 50pF。
POL 5 AI EN 引脚极性选择。
EN 6 AI 器件禁用输入。在 POL 引脚悬空的情况下，EN 引脚悬空或拉低时，会启用器件，如果 EN 引脚被拉高，则会禁用器件。在 POL 引脚接地的情况下，EN 引脚拉高时，会启用器件，EN 引脚拉低或悬空时，会禁用器件。
NC 8 - 无连接。保持该引脚悬空或接地。
散热焊盘 17 - 器件的接地基准，也是用于传导器件热量的散热焊盘。此连接有两个用途。第一个用途是为器件提供电气接地连接。第二个用途是提供一条从器件芯片到 PCB 的低热阻抗路径。该散热焊盘应该在外部连接至接地层。接地层通过散热焊盘下的过孔连接至散热焊盘。
(1) AI = 模拟输入，AO = 模拟输出，AIO = 模拟输入/输出，DI = 数字输入，DO = 数字输出，DIO = 数字输入/输出，P = 电源